MCP601/2/3/4
2.7V
至
5.5V
单电源
CMOS
运算放大器
特征
•
单电源：2.7V 至
5.5V
•
满幅输出
•
•
•
•
•
输入范围包括地
增益带½积：2.8
MHz (
典型值
)
稳定的单½增益
静态电流½：
230 µA/
放大器
(
典型值
)
片选功½
(CS):
仅限
MCP603
说明
Microchip Technology Inc.
的
MCP601/2/3/4
系列½功
耗运算放大器 ( 运放 ) 提供单运放
(MCP601)、带片选
(CS)
功½的单运放
(MCP603)、双运放 (MCP602)
和四
运放
(MCP604)
等配½。
器件采用先进的
CMOS
技术，
具有偏½电流½、运行速度快、开环增益高以及满幅输
出等特点。该系列产品采用单电源供电，供电电压可½
达
2.7V，同时静态电流消耗小于230
µA。此外，器件的
共模输入电压范围½于系统地电平
0.3V，½得该系列
放大器十分适合单电源运行方式。
由于静态电流½，这些器件适用于½功耗电池供电的电
路，其很½的带½½其适用于
A/D
½换器的驱动放大
器，而其输入偏½电流½的特点则½其适用于抗混叠滤
波器。
MCP601， MCP602
和
MCP603
采用标准的
8
引脚
PDIP、SOIC
和
TSSOP
封装。MCP601 和
MCP601R
还提供标准
5
引脚
SOT23
封装，而
MCP603
还提供标
准
6
引脚
SOT-23
封装。
MCP604
采用标准
14
引脚
PDIP、 SOIC
和
TSSOP
封装。
MCP601/2/3/4
系列的温度范围为工业级和扩展级，其
电源电压范围为
2.7V
至
5.5V。
•
温度范围：
-
工业级：-40°C 至
+85°C
-
扩展级：-40°C 至
+125°C
•
提供单运放、双运放和四运放
典型应用
•
•
•
•
•
•
便携式设备
A/D
½换器驱动器
光电二极管前½放大器
模拟滤波器
数据采集
笔记本电脑和
PDA
•
传感器接口
工具支持
• SPICE
宏模型， 见
www.microchip.com
• FilterLab
®
½件，见
www.microchip.com
封装½式
MCP601
PDIP, SOIC, TSSOP
NC 1
V
IN
– 2
V
IN
+ 3
V
SS
4
8 NC
7 V
DD
6 V
OUT
5 NC
V
OUTA
1
V
INA
– 2
V
INA
+ 3
V
SS
4
MCP602
PDIP, SOIC, TSSOP
8 V
DD
7 V
OUTB
6 V
INB
–
5 V
INB
+
MCP603
PDIP, SOIC, TSSOP
NC 1
V
IN
– 2
V
IN
+ 3
V
SS
4
8 CS
7 V
DD
6 V
OUT
5 NC
MCP604
PDIP, SOIC, TSSOP
V
OUTA
1
V
INA
– 2
V
INA
+ 3
V
DD
4
V
INB
+ 5
V
INB
– 6
V
OUTB
7
14 V
OUTD
13 V
IND
–
12 V
IND
+
11 V
SS
10 V
INC
+
9 V
INC
–
8 V
OUTC
MCP601
SOT23-5
V
OUT
1
V
SS
2
V
IN
+ 3
4 V
IN
–
5 V
DD
MCP601R
SOT23-5
V
OUT
1
V
DD
2
V
IN
+ 3
4 V
IN
–
5 V
SS
MCP603
SOT23-6
V
OUT
1
V
SS
2
V
IN
+ 3
6 V
DD
5 CS
4 V
IN
–
2004 Microchip Technology Inc.
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MCP601/2/3/4
1.0
电气特性
引脚功½表
名称
V
IN+
, V
INA+
, V
INB+
, V
INC+
, V
IND+
V
IN–
, V
INA–
, V
INB–
, V
INC–
, V
IND–
V
DD
V
SS
V
OUT
, V
OUTA
, V
OUTB
, V
OUTC
,
V
OUTD
CS
NC
反相输入
正电源
负电源
输出
片选
非内部连接
功½
非反相输入
绝对最大额定值
†
V
DD
- V
SS
........................................................................ 7.0V
所有输入输出..................................
V
SS
- 0.3V
至
V
DD
+ 0.3V
输入电压差
............................................................|V
DD
- V
SS
|
输出短路电流.................................................................. 连续
输入引脚电流................................................................
±2 mA
输入引脚和供电引脚电流............................................
±30 mA
储存温度.......................................................
-65°C
至
+150°C
结温
............................................................................ +150°C
所有引脚的
ESD
保护
(HBM; MM)
........................ ≥
3 kV; 200V
†
注:如果器件运行条件超过上述各项绝对最大额定值，
可½对器
件造成永久性损坏。上述参数仅是运行条件的极大值，我们不建
议½器件运行在超过或在技术规范以外的条件下。器件长时间工
½在绝对最大极限条件下，其稳定性可½受到½响。
DC
特性
电气技术规范
:
除非另外说明，否则
T
A
= +25°C, V
DD
= +2.7V
至
+5.5V, V
SS
= GND, V
CM
= V
DD
/2,
V
OUT
≈
V
DD
/2,
且
R
L
= 100 kΩ
至
V
DD
/2.
参数
输入失调
输入失调电压
工业级温度范围
扩展级温度范围
输入失调温度漂移
电源抑制比
输入电流和阻抗
输入偏½电流
工业温度范围
扩展温度范围
输入失调电流
共模输入阻抗
差动输入阻抗
共模
共模输入范围
共模抑制比
开环增益
DC
开环增益
(
大信号
)
符号
V
OS
V
OS
V
OS
∆V
OS
/∆T
A
PSRR
I
B
I
B
I
B
I
OS
Z
CM
Z
DIFF
V
CMR
CMRR
A
OL
A
OL
输出
最大输出电压摆幅
线性输出电压摆幅
输出短路电流
电源
电源电压
每个放大器的静态电流
注
1:
最小值
-2
-3
-4.5
—
80
—
—
—
—
—
—
V
SS
-0.3
75
100
95
典型值
±0.7
±1
±1
±2.5
88
1
20
450
±1
10
13
||6
10
13
||3
—
90
115
110
最大值
+2
+3
+4.5
—
—
—
60
5000
—
—
—
V
DD
-1.2
—
—
—
单½
mV
mV
mV
µV/°C
dB
条件
T
A
= -40°C
至
+85°C
(
注
1)
T
A
= -40°C
至
+125°C
(
注
1)
T
A
= -40°C
至
+125°C
V
DD
= 2.7V
至
5.5V
pA
pA T
A
= +85°C
(
注
1)
pA T
A
= +125°C
(
注
1)
pA
Ω||pF
Ω||pF
V
dB
dB
dB
V
DD
= 5.0V, V
CM
= -0.3V
至
3.8V
R
L
= 25 kΩ
接到
V
DD
/2,
V
OUT
= 100 mV
至
V
DD
-
100 mV
R
L
= 5 kΩ
接到
V
DD
/2,
V
OUT
= 100 mV
至
V
DD
-
100 mV
R
L
= 25 kΩ
接到
V
DD
/2,
输出过驱动
= 0.5V
R
L
= 5 kΩ
接到
V
DD
/2,
输出过驱动
= 0.5V
R
L
= 25 kΩ
接到
V
DD
/2, A
OL
≥
100 dB
R
L
= 5 kΩ
接到
V
DD
/2, A
OL
≥
95 dB
V
DD
= 5.5V
V
DD
= 2.7V
V
OL
, V
OH
V
SS
+15
V
OL
, V
OH
V
SS
+45
V
OUT
V
SS
+100
V
SS
+100
V
OUT
I
SC
—
I
SC
—
V
DD
I
Q
2.7
—
—
—
—
—
±22
±12
—
230
V
DD
-20
V
DD
-60
V
DD
-100
V
DD
-100
—
—
5.5
325
mV
mV
mV
mV
mA
mA
V
µA
I
O
= 0
日期代码早于
YYWW=0408
的器件，其
SOT-23
或
TSSOP
封装的该参数均未经测试。
在此情况下，其最大值和最小值为特征值，仅供设计参考。
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2004 Microchip Technology Inc.
MCP601/2/3/4
AC
特性
电气技术规范
:
除非另外说明，否则
T
A
= +25°C, V
DD
= +2.7V
至
+5.5V, V
SS
= GND, V
CM
= V
DD
/2,
V
OUT
≈
V
DD
/2, R
L
= 100 kΩ
至
V
DD
/2,
且
C
L
= 50 pF.
参数
频率响应
增益带½积
相½容限
阶跃响应
½换速率
建立时间
(0.01%)
噪声
输入噪声电压
输入噪声电压密度
输入噪声电流密度
E
ni
e
ni
e
ni
i
ni
—
—
—
—
7
29
21
0.6
—
—
—
—
µV
P-P
f = 0.1 Hz
至
10 Hz
nV/√Hz f = 1 kHz
nV/√Hz f = 10 kHz
fA/√Hz f = 1 kHz
SR
t
settle
—
—
2.3
4.5
—
—
V/µs
µs
G = +1 V/V
G = +1 V/V,
阶跃
3.8V
GBWP
PM
—
—
2.8
50
—
—
MHz
°
G = +1 V/V
符号
最小值
典型值
最大值
单½
条件
MCP603
片选特性
电气技术规范
:
除非另外说明，否则
T
A
= +25°C, V
DD
= +2.7V to +5.5V, V
SS
= GND, V
CM
= V
DD
/2,
V
OUT
≈
V
DD
/2, R
L
= 100 kΩ
至
V
DD
/2,
且
C
L
= 50 pF.
参数
DC
特征
CS
逻辑门限
,
½电平
CS
输入电流
,
½电平
CS
逻辑门限
,
高电平
CS
输入电流
,
高电平
关断
V
SS
电流
关断时放大器输出漏电流
CS
门限滞环电压
时序
CS
½电平至放大器输出接通时间
CS
高电平至放大器输出
High-Z
时间
t
ON
t
OFF
—
—
3.1
100
10
—
µs
ns
CS
≤
0.2V
DD
, G = +1 V/V
CS
≥
0.8V
DD
, G = +1 V/V,
空½½
V
IL
I
CSL
V
IH
I
CSH
I
Q_SHDN
I
O_SHDN
HYST
V
SS
-1.0
0.8 V
DD
—
-2.0
—
—
—
—
—
0.7
-0.7
1
0.3
0.2 V
DD
—
V
DD
2.0
—
—
—
V
µA
V
µA
µA
nA
V
内部切换
CS = V
DD
CS = V
DD
CS = 0.2V
DD
符号
最小值
典型值
最大值
单½
条件
CS
t
ON
V
OUT
I
DD
I
SS
CS
电流
Hi-Z
2 nA (typ.)
输出有效
230 µA (
典型值
)
t
OFF
Hi-Z
-700 nA (typ.) -230 µA (
典型值
)
2 nA (
典型值
)
700 nA (typ.)
图
1-1:
MCP603
片选
(CS)
时序图
2004 Microchip Technology Inc.
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3
页
MCP601/2/3/4
温度特性
电气技术规范
:
除非另外说明，否则
V
DD
= +2.7V
至
+5.5V
且
V
SS
= GND.
参数
温度范围
规定温度范围
工½温度范围
储存温度范围
封装热阻
热阻
, 5L-SOT23
热阻
, 6L-SOT23
热阻
, 8L-PDIP
热阻
, 8L-SOIC
热阻
, 8L-TSSOP
热阻
, 14L-PDIP
热阻
, 14L-SOIC
热阻
, 14L-TSSOP
注：
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
—
—
—
—
—
—
—
—
256
230
85
163
124
70
120
100
—
—
—
—
—
—
—
—
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
T
A
T
A
T
A
T
A
-40
-40
-40
-65
—
—
—
—
+85
+125
+125
+150
°C
°C
°C
°C
工业级温度器件
扩展级温度器件
Note
符号
最小值 典型值 最大值
单½
条件
工业级温度的器件可工½在扩展温度范围内，½性½有所下降。扩展级温度技术参数不适用于工业级温度
的器件。在任½情况下，内部结温 (T
J
) 均不得超过绝对最大参数值
150°C
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2004 Microchip Technology Inc.
MCP601/2/3/4
2.0
注：
典型性½曲线
以下图表来自有限数量样本的统计结果，仅供参考。所列出的性½特性未经测试，我们不做保证。一些图
表中列出的数据可½超出规定的工½范围 ( 如：超出了规定的电源电压范围 )，因此不在担保范围。
注
:
除非另外说明，否则
T
A
= +25°C, V
DD
= +2.7V
至
+5.5V, V
SS
= GND, V
CM
= V
DD
/2, R
L
= 100 kΩ
至
V
DD
/2, V
OUT
≈
V
DD
/2,
且
C
L
= 50 pF。
120
Open-Loop Gain (dB)
100
80
60
40
20
0
-20
-40
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
1.E+04
1.E+05
1.E+06
1.E+07
0
Open-Loop Phase (?
Gain
Phase
-30
-60
-90
-120
-150
-180
-210
0.1
1
10
100
1k
10k 100k 1M 10M
-240
Quiescent Current per
Amplifier (µA)
300
250
200
150
100
50
0
0. 0. 1. 1. 2. 2. 3. 3. 4. 4. 5. 5.
0 5 0 5 0 5 0 5 0 5 0 5
Supply Voltage (V)
I
O
= 0
-40°C
+25°C
+85°C
+125°C
Frequency (Hz)
图
2-1:
开环增益，相½对频率曲线
图
2-4:
300
Quiescent Current per
Amplifier (µA)
静态电流对电源电压曲线
3.5
3.0
Slew Rate (V/µs)
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Falling Edge
Rising Edge
V
DD
= 5.0V
250
200
150
100
50
0
-50
-25
0
25
50
75
I
O
= 0
V
DD
= 5.5V
V
DD
= 2.7V
100
125
Ambient Temperature (°C)
Ambient Temperature (°C)
图
2-2:
½换率对温度曲线
图
2-5:
静态电流对温度曲线
10µ
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
GBWP
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
10,000
Input Noise Voltage Density
(V/
√
Hz)
Phase Margin, G = +1 (°)
Gain Bandwidth
Product (MHz)
1µ
1,000
PM, G = +1
100n
100
-50 -25 0
25 50 75 10 12
0 5
Ambient Temperature (°C)
10n
0.1
10
1.E-01
1.E+00
1
10
1.E+01
100
1.E+02
1k
1.E+03
10k
1.E+04
100k
1.E+05
1M
1.E+06
Frequency (Hz)
图
2-3:
增益带½积，相½裕度对温度曲线
图
2-6:
输入噪声电压密度对频率曲线
2004 Microchip Technology Inc.
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