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Dear customers,

About the change in the name such as "Oki Electric Industry Co. Ltd." and

"OKI" in documents to OKI Semiconductor Co., Ltd.

The semiconductor business of Oki Electric Industry Co., Ltd. was succeeded to OKI

Semiconductor Co., Ltd. on October 1, 2008.

Therefore, please accept that although

the terms and marks of "Oki Electric Industry Co., Ltd.", “Oki Electric”, and "OKI"

remain in the documents, they all have been changed to "OKI Semiconductor Co., Ltd.".

It is a change of the company name, the company trademark, and the logo, etc. , and

NOT a content change in documents.

October 1, 2008

OKI Semiconductor Co., Ltd.

550-1 Higashiasakawa-cho, Hachioji-shi, Tokyo 193-8550, Japan

http://www.okisemi.com/en/

E2G1050-17-X1

¡ Semiconductor

MD56V62400/H

¡ Semiconductor

This version: Mar. 1998

MD56V62400/H

4-Bank

4,194,304-Word

4-Bit SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

DESCRIPTION

The MD56V62400/H is a 4-bank

4,194,304-word

4-bit synchronous dynamic RAM, fabricated

in Oki's CMOS silicon-gate process technology. The device operates at 3.3 V. The inputs and

outputs are LVTTL compatible.

FEATURES

•

Silicon gate, quadruple polysilicon CMOS, 1-transistor memory cell

4-bank

4,194,304-word

4-bit configuration

3.3 V power supply,

±0.3

V tolerance

Input

: LVTTL compatible

Output : LVTTL compatible

Refresh : 4096 cycles/64 ms

Programmable data transfer mode

–

CAS

latency (2, 3)

– Burst length (2, 4, 8)

– Data scramble (sequential, interleave)

• CBR auto-refresh, Self-refresh capability

• Package:

54-pin 400 mil plastic TSOP (Type II) (TSOPII54-P-400-0.80-K) (Product : MD56V62400/H-xxTA)

xx indicates speed rank.

PRODUCT FAMILY

Family

MD56V62400-10

MD56V62400-12

MD56V62400H-15

Max.

Frequency

100 MHz

83 MHz

66 MHz

Access Time (Max.)

AC2

9 ns

14 ns

9 ns

AC3

9 ns

10 ns

9 ns

1/28

¡ Semiconductor

MD56V62400/H

PIN CONFIGURATION (TOP VIEW)

DQ1

DQ2

CAS

RAS

A13/BA0

A12/BA1

A10

DQ4

DQ3

DQM

CLK

CKE

A11

54-Pin Plastic TSOP (II)

(K Type)

Pin Name

CLK

CKE

A0 - A11

A12, A13

RAS

CAS

Function

System Clock

Chip Select

Clock Enable

Address

Bank Select Address

Row Address Strobe

Column Address Strobe

Write Enable

Pin Name

DQM

DQi

Function

Data Input/Output Mask

Data Input/Output

Power Supply (3.3 V)

Ground (0 V)

Data Output Power Supply (3.3 V)

Data Output Ground (0 V)

No Connection

Note:

The same power supply voltage must be provided to every V

pin and V

Q pin.

The same GND voltage level must be provided to every V

pin and V

Q pin.

2/28

¡ Semiconductor

MD56V62400/H

PIN DESCRIPTION

CLK

CKE

Fetches all inputs at the "H" edge.

Disables or enables device operation by asserting or deactivating all inputs except CLK, CKE and DQM.

Masks system clock to deactivate the subsequent CLK operation.

If CKE is deactivated, system clock will be masked so that the subsequent CLK operation is

deactivated. CKE should be asserted at least one cycle prior to a new command.

Address

Row & column multiplexed.

Row address: RA0 – RA11

Column address: CA0 – CA9

A12, A13

(BA1, BA0)

RAS

CAS

DQM

DQi

Masks the read data of two clocks later when DQM is set "H" at the "H" edge of the clock signal.

Masks the write data of the same clock when DQM is set "H" at the "H" edge of the clock signal.

Data inputs/outputs are multiplexed on the same pin.

Functionality depends on the combination. For details, see the function truth table.

Bank Access pins. These pins are dedicated to select one of 4 banks.

3/28

¡ Semiconductor

MD56V62400/H

BLOCK DIAGRAM

CLK

CKE

CLOCK

BUFFER

Command

Decoding

Logic

Command

Buffers

Control

Logic

A0 -

A13

Address

Buffers

Mode

Latency

& Burst

controller

Column

Address

Latches

& Counter

Column Decoders

Sense Amplifiers

RAS

CAS

DQM

Row

Address

Latches

& Refresh

Counter

Row Decoders

Word Drivers

Memory

Cells

BANK A

BANK B

BANK C

BANK D

Input

Buffers

Input

Data

DQ1 - DQ4

Output

Data

Output

Buffers

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参数对比

与MD56V62400H-15TA相近的元器件有：MD56V62400-12TA、MD56V62400-10TA。描述及对比如下：

型号	MD56V62400H-15TA	MD56V62400-12TA	MD56V62400-10TA
描述	Synchronous DRAM, 16MX4, 9ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-54	Synchronous DRAM, 16MX4, 10ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-54	Synchronous DRAM, 16MX4, 9ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-54
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合
厂商名称	LAPIS Semiconductor Co Ltd	LAPIS Semiconductor Co Ltd	LAPIS Semiconductor Co Ltd
零件包装代码	TSOP2	TSOP2	TSOP2
包装说明	SOP, TSOP54,.46,32	SOP, TSOP54,.46,32	SOP, TSOP54,.46,32
针数	54	54	54
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	9 ns	10 ns	9 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	66 MHz	83 MHz	100 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	2,4,8	2,4,8	2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54
JESD-609代码	e0	e0	e0
内存密度	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	4	4	4
功能数量	1	1	1
端口数量	1	1	1
端子数量	54	54	54
字数	16777216 words	16777216 words	16777216 words
字数代码	16000000	16000000	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C
组织	16MX4	16MX4	16MX4
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP	SOP	SOP
封装等效代码	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096
自我刷新	YES	YES	YES
连续突发长度	2,4,8	2,4,8	2,4,8
最大待机电流	0.002 A	0.002 A	0.002 A
最大压摆率	0.15 mA	0.15 mA	0.18 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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简单易制的自动充电

用6V免维护电瓶供电的应急手提灯在农村应用非常广泛，其配用的充电器是一个变压器降压、单二极管半波整流装置，充电时间很难掌握。由于电池亏电或过充电往往会造成电池寿命缩短，为了有效延长电池寿命。设计制作了一个简易自动充电装置。工作原理电路如下图所示。GB为待充电电瓶，平时只要不再使用，就将充电器插头X1、X2插入手提灯的充电插孔内。按一下启动按钮SB，220V交流市电经保险FU、SB加在电源变压...[详细]
一种基于FM20L08的温度测试仪

　　1 引言　　高温测试仪主要用于加热过程中的温度跟踪测量和数据采集,通过对测试数据进行系统分析,研究炉内的温度分布和温差变化规律,分析影响加热质量的主要因素,对加热炉加热过程和加热制度进行优化,提高加热质量,降低燃料消耗。　　而在一些收集存储数据的系统，系统的电压可能变化不定或者突然断电，FM20L08就是针对这些系统可以用来直接替换异步静态存储器（SRAM）而设计的存储器，也是R...[详细]
可编程逻辑器件在高准确度A／D转换器中的应用

1　引　言可编程逻辑器件（PLD）是当今国际上流行的新一代数字系统逻辑器件。它主要是一种“与－或”两级式结构器件，除了具有高速度、高集成度性能之外，其最大的特点就是用户可定义其逻辑功能。因此PLD能够适应各种需求，大大简化系统设计，缩小系统规模，提高系统可靠性，受到广大工程技术人员的青睐。可编程逻辑器件种类繁多，性能各异，主要有以下几种基本类型：可编程只读存储器（PROM），...[详细]
不到1300元山寨Galaxy S III更多细节曝光

三星刚出的旗舰新机Galaxy S III固然不错，但是高昂的价格不是每个人都能承受的起。昨天我们报道了一部山寨版的i9300，而现在该机价格和具体配置已经全部出炉。　　这款山寨的Galaxy S III名叫HDC Galaxy S3，其外形甚至UI界面都与原型机异常相似。该机的三围为138×70×9.2mm，配备了一块4.7寸触摸屏，分辨率只有800×480像素。　　该机还搭载了...[详细]
互联网公司做手机的十大败像

互联网公司都在做手机，不管大的小的，不管有名的还是没名的，不管有钱的还是没钱的。一窝蜂的创新，这是中国式发展的模式，也更是中国互联网企业多年来的惯例。从互联网发展的历史看，这种你追我赶的状态并不会损害互联网的未来，相反，大进军大淘汰已经是互联网的发展必然。互联网公司为了适应移动互联网的大势，推出自己品牌的手机也并不意外。当然，我们需要思考的是，为何在PC桌面互联网时代中没有互联网企业这...[详细]
首座450mm晶圆厂2017年投产

SEMI 的晶圆厂工具供应商贸易部门资深分析师Christian Dieseldorff在周一的Semicon West演讲中表示，首家使用450mm晶圆生产半导体的晶圆厂预计将在2017年开始运作。 Dieseldorff 预测，2017年将有三座450mm晶圆开始运转。他同时预估，届时生产IC的晶圆厂总数将从今年的464座下降至441座。 2007和2017年开始运转或开始生产的晶...[详细]
CIF50-PB总线板卡与力控组态软件的应用实例

一、 CIF 板卡简介基于PC系统的现场总线集成无论是主站或从站，现场总线在基于PC的自动化领域内获得了一致好评。十多年以来，Hilscher公司的CIF通讯卡，在众多领域里得到了成功的应用，并且成为市场上的一种标准。各种形式的PC板卡通过应用CIF通讯卡，用户可以对不同的现场总线，不同的硬件平台，使用统一的标准。我们的PC通讯卡可以使用标准型，紧凑...[详细]
半导体设备营收明年逾460亿美元

国际半导体设备材料产业协会（SEMI）昨（10）日公布半导体设备资本支出的年中预测报告（SEMI Capital Equipment Forecast），预估2012年全球半导体设备营收规模将达到423.8亿美元，2013年将成长至467.1亿美元。　受惠平板电脑、智慧型手机与行动装置等消费性电子商品亮丽表现，半导体设备的采购需求仍将持续。SEMI在报告中指出，2011年半...[详细]
基于STM32LED书写点阵屏设计与实现

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医疗电子索尼将推出最多可将四幅医疗影像合成为一个画面的设备

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自诊断传感器模块提升汽车网络效率

如今汽车内的电子元件价值已占到总车的15～20%。未来，随着车辆中植入更多的安全电子设备、燃油消耗和燃料排放控制系统、通信和导航系统、信息娱乐系统以及其他提升舒适度的电子系统，该比例可能会高达30～40%。　　目前实现上述功能需要20～50个电子控制单元(ECU)，所用到的传感器差不多有70～150个。这些传感器负责测量的环境数据范围很广，有压力、温度、流量、速度、加速度以及角度等。它们将测...[详细]
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微软CEO鲍尔默：今年目标是售出数百万台Surface 微软CEO史蒂夫·鲍尔默在大会上发言。　　新浪科技讯北京时间7月10日凌晨消息，微软(微博)CEO史蒂夫·鲍尔默(Steve Ballmer)周一称，该公司将收购大型触摸屏显示器开发商Perceptive Pixel，后者创建至今已有六年，其客户包括有线电视网络CNN等。　　微软还称，该公司计划在10月份正式发布其旗舰产品...[详细]
AMD发布第二季度初步财报：营收环比下滑约11%

北京时间7月10日凌晨消息，AMD今天发布了截至6月30日的2012财年第二季度初步财报。报告显示，AMD预计第二季度营收比上一季度下滑约11%。AMD此前预计，第二季度营收将环比增长3%，上下浮动3个百分点。 AMD预计，第二季度毛利率大致符合此前预期，运营支出预计将有所改善，比此前预期的约6.05亿美元低8%左右，主要由于公司在该季度中实施了严格控制支出的措施。 AMD第二季...[详细]
千元智能机集体亢奋

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太阳能LED照明系统的组成及注意事项

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