MGBR20L150CG-TF3-T,MGBR20L150CG-TF3-T pdf中文资料,MGBR20L150CG-TF3-T引脚图,MGBR20L150CG-TF3-T电路-Datasheet-电子工程世界

文档预览

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

MGBR20L150C

DUAL MOS GATED BARRIER

RECTIFIER



DESCRIPTION

DIODE

The UTC

MGBR20L150C

is a dual mos gated barrier rectifiers,

it uses UTC’s advanced technology to provide customers with low

forward voltage drop and high switching speed, etc.



FEATURES

* Low forward voltage drop

* High switching speed



SYMBOL



ORDERING INFORMATION

Package

TO-220

TO-220F

Pin Assignment

Packing

Tube

Ordering Number

Lead Free

Halogen Free

MGBR20L150CL-TA3-T

MGBR20L150CG-TA3-T

MGBR20L150CL-TF3-T

MGBR20L150CG-TF3-T

Note: Pin Assignment: A: Anode K: Cathode



MARKING

www.unisonic.com.tw

1 of 3

QW-R601-157.C

MGBR20L150C



ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (PER LEG)

=25°C unless otherwise specified)

DIODE

Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitance load, derate current by 20%.

PARAMETER

SYMBOL

RATINGS

UNIT

DC Blocking Voltage

150

Working Peak Reverse Voltage

RWM

150

Peak Repetitive Reverse Voltage

RRM

150

Per Leg

Average Rectified Output Current Per Device

Total

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms Single

FSM

150

Half Sine-Wave Superimposed on Rated Load

Operating Junction Temperature

-65~+150

°C

Storage Temperature

STG

-65~+150

°C

Note: Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.

Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.



THERMAL DATA

PARAMETER

SYMBOL

TO-220

TO-220F

RATINGS

62.5

3.31

UNIT

°C/W

Junction to Ambient

Junction to Case



ELECTRICAL CHARACTERISTICS (PER LEG)

=25°C

unless otherwise specified.)

MIN

150

TYP MAX UNIT

0.90

0.85

μA

PARAMETER

Reverse Breakdown Voltage (Note 1)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

(BR)R

=0.50mA

=10A, T

=25°C

Forward Voltage Drop

=10A, T

=125°C

=150V, T

=25°C

Leakage Current (Note 1)

=150V, T

=125°C

Notes: 1. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.

2. Thermal resistance junction to case mounted on heatsink.

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

www.unisonic.com.tw

2 of 3

QW-R601-157.C

MGBR20L150C



TYPICAL CHARACTERISTICS

Forward Derating Curve

Typical Forward Characteristics

DIODE

Instantantaneous Forward Current (A)

Average Rectified Current (A)

100

IF Pulse

Width=300uS

125°C

25°C

1.0

100

125 150

0.1

175

0.4

0.2

0.6

0.8

1.0

Instantaneous Forward Voltage (V)

Case Temperature (°C)

Typical Reverse Characteristics

1E-1

Instantaneous Reverse Current (A)

1E-2

1E-3

1E-4

1E-5

1E-6

1E-7

=150V

100

125

Case Temperature (°C)

150

UTC assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that

exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or

other parameters) listed in products specifications of any and all UTC products described or contained

herein. UTC products are not designed for use in life support appliances, devices or systems where

malfunction of these products can be reasonably expected to result in personal injury. Reproduction in

whole or in part is prohibited without the prior written consent of the copyright owner. The information

presented in this document does not form part of any quotation or contract, is believed to be accurate

and reliable and may be changed without notice.

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

www.unisonic.com.tw

3 of 3

QW-R601-157.C

参数对比

与MGBR20L150CG-TF3-T相近的元器件有：MGBR20L150CG-TA3-T、MGBR20L150CL-TA3-T、MGBR20L150CL-TF3-T、MGBR20L150C_15。描述及对比如下：

型号	MGBR20L150CG-TF3-T	MGBR20L150CG-TA3-T	MGBR20L150CL-TA3-T	MGBR20L150CL-TF3-T	MGBR20L150C_15
描述	DUAL MOS GATED BARRIER RECTIFIER	DUAL MOS GATED BARRIER RECTIFIER	DUAL MOS GATED BARRIER RECTIFIER	DUAL MOS GATED BARRIER RECTIFIER	DUAL MOS GATED BARRIER RECTIFIER
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	-
包装说明	HALOGEN FREE, TO-220F, 3 PIN	HALOGEN FREE, TO-220, 3 PIN	LEAD FREE, TO-220, 3 PIN	LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN	-
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	compli	-
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	-
应用	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE	-
配置	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	-
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	-
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	-
最大正向电压 (VF)	0.9 V	0.9 V	0.9 V	0.9 V	-
JEDEC-95代码	TO-220AB	TO-220AB	TO-220AB	TO-220AB	-
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	-
最大非重复峰值正向电流	150 A	150 A	150 A	150 A	-
元件数量	2	2	2	2	-
相数	1	1	1	1	-
端子数量	3	3	3	3	-
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	-
最低工作温度	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-
最大输出电流	10 A	10 A	10 A	10 A	-
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	-
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-
最大重复峰值反向电压	150 V	150 V	150 V	150 V	-
最大反向电流	50 µA	50 µA	50 µA	50 µA	-
表面贴装	NO	NO	NO	NO	-
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	-
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	-
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-
Base Number Matches	1	1	1	1	-

MSP430f2619串口变动问题，请教前辈们，十万火急！！！！！: 是这样的，我现在是使用MSP430F2619进行电压采集，然后与PC机通讯，原来我用的是A0口，现在...; lwangliu 微控制器 MCU

读后感汇总：《RT-Thread设备驱动开发指南》来了: 活动详情：【《RT-Thread设备驱动开发指南》来了】更新至 2023-09-28 ...; EEWORLD社区测评中心专版

【allegro】一张图让你看明白通孔焊盘所涉及焊盘的作用: 【allegro】一张图让你看明白通孔焊盘所涉及焊盘的作用是挺形象的说明但不明白anti ...; 人民币的幻想 PCB设计

Bluetooth 5.0协议一个主设备可以连接多少从设备？: Bluetooth 5.0协议一个主设备可以连接多少从设备？ Bluetooth 5.0协议一个主...; une001 RF/无线

U信通让手机兼备PTT功能: U信通让手机兼备PTT功能 2009年中国3G网络业务正式开始运行，集群通信业务也将从传统模拟信号时...; haian_bch 嵌入式系统

学习实时内存数据eXtremeDB的好东东，见附件: 有想了解嵌入式eXtremeDB内存数据库的吗,有兴趣者，可以加入QQ群：51347012 可以访问...; xinling1027 嵌入式系统

速度快20倍，功率超3倍，解析GaN快充十大趋势

氮化镓（gallium nitride，GaN）是下一代半导体材料，其运行速度比旧式传统硅（Si）技术快了二十倍，并且能够实现高出三倍的功率，用于尖端快速充电器产品时，可以实现远远超过现有产品的性能，在尺寸相同的情况下，输出功率提高了三倍。也正是得益于这些性能优势，氮化镓在消费类快充电源市场中有着广泛的应用。统计数据显示，目前已有数十家主流电源厂商开辟了氮化镓快充产品线，推出的氮化镓...[详细]
新能源汽车核心部件电控IGBT模块详解及供应商汇总

当前的新能源车的模块系统由很多部分组成，如电池、VCU、BSM、电机等，但是这些都是发展比较成熟的产品，国内外的模块厂商已经开发了很多，但是有一个模块需要引起行业内的重视，那就是电机驱动部分最核心的元件IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor绝缘栅双极型晶体管芯片）。作为电力电子行业里的“CPU”，IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是国际上公认的电子革命中最具代表...[详细]
采用分级交-交变频方法的高转矩软起动器的研制

摘要：介绍了一种采用分级交-交变频方法的交流电机软起动器的原理和实现，它能使电机以高起动转矩和小的起动电流平滑地起动。并将实际效果与传统的电子式软起动器进行了比较，证明采用分级交-交变频方法的软起动器，不仅可以减小起动电流，提高起动转矩，还可以实现真正的软停车及使电机短时工作在低速运行和反转制动状态。关键词：软起动器；高起动转矩；分级交-交变频；晶闸管引言交流异步电动机以其构造简单...[详细]
Xilinx展示针对视觉化的汽车光流解决方案

赛灵思公司在 Electronica 2008 展会上展示了针对视觉化驾驶辅助（DA）系统的赛灵思汽车光流（XA Optical Flow）解决方案。这一基于现场可编程门阵列（FPGA）的高成本效益可编程平台采用了数字设计公司（Digital Design Corporation（DDC））的高性能图像处理技术，可通过定制支持广泛的高级应用，包括行人检测、碰撞预警、标志识别、盲点探测、倒车...[详细]
大疆跨界教育机器人支持自定义UI

在成为全球消费级霸主之后，又要在全新的机器人领域大显身手了。3月9日，大疆正式发布了RoboMasr EP教育机器人，支持一机多形态，兼容第三方硬件及，并开放了SDK。随着人工智能、机器人技术的发展，智能机器人的门槛也在不断降低，现在也成为教育领域的热门产品。去年6月份，大疆推出了RoboMaster S1机器人，这次发布的RoboMaster EP机器人则是更高级的产品，功能更多。 ...[详细]
51单片机学习之路 —— 1.7 独立键盘

1　　作业回顾　　　　作业　　　　　　　　　　 2 独立键盘概念　　　　　　s2 s3 s4 s5 为独立键盘与P3^0 P3^1 P3^2 P3^3 相连接　　s2 = 0 就是s2被按下的意思　　 3 程序编写　　1 先写个简单的　　　　要求按下s2按键 led点亮，再次按下熄灭　　　　代码 s2按键　　分析：　　　　...[详细]
SIA：半导体年增幅创高，各区成长均达两位数

半导体产业协会（SIA）1 日公布，2017 年 3 月全球半导体销售额来到 309 亿美元，和前月相比，上扬 1.6%。和去年同期相比，飙涨 18.1%。今年第一季半导体销售额为 926 亿美元，年增 18.1%，但季减 0.4%。 SIA 总裁兼执行长 John Neuffer 声明稿指出，3 月全球半导体销售稳健成长，和去年同期相较，幅度激增；和上个月相较，则略为提高。半导体销售年增 18...[详细]
经济学家纷纷加入芯片大讨论，看时寒冰怎么蹭热点

　　在中兴通讯遭美国禁售之后，有关芯片的讨论非常激烈。下面就随嵌入式小编一起来了解一下相关内容吧。　　今天，中国芯片产业与国际的差距，已经越来越大。而回首过去，中国其实曾经拥有成为世界芯片强国的历史机遇。改革开放后，中国芯片产业发展迅速。比如，1985年的时候，江苏无锡的742厂就已经能够生产64K DRAM ，这相当于跟我国台湾地区、韩国处在几乎相同的起跑线上。1989年以后...[详细]
消费电子和32位产品成为推动中国MCU市场增长的明星

去年中国MCU市场整体规模首次突破300亿元，同比增长15.8%。从增长速度来看，与前几年相比目前全球电子产品制造业向中国转移已趋于平稳发展态势，而且在持续几年快速发展之后，中国电子制造业产量也进入了一个相对较高的水平，因此增长空间和潜力都受到一定限制。而在MCU方面，去年销售额和销量增幅均比前一年明显下降，从而也可以确定中国MCU市场已经走过市场快速增长的初期阶段，开始进入平稳增长的相对成熟发...[详细]
STM32F103在线升级程序

花了四天时间才把IAP功能做好。其中也遇到许多的坑，这次把这次IAP功能实现过程遇到的坑把它分享出来。一开始做iap的时候也是先从网上看别人的实现方法，其中就下载了一套别人的程序，不过主控芯片是STM32F103zv，就是不是我想要的那个型号，还有他的逻辑跟我的有点不一样。所以才走了那么多天的坑。 1、先移植别人的flash烧写代码跟运行APP应用程序的代码，基本各个版本大同小异。2、然后实...[详细]
8通道并行数据采集PCI模块的设计

8通道并行数据采集PCI模块的设计数据采集是自动测试系统的主要功能之一，而在一些应用领域，比如超声、医疗电子中，信号的频率范围不同会要求采样率的不同。有时，为了配合信号处理算法，甚至要求采样率在一定范围内随意设定。而且，这些应用通常要求多个通道并行采集，甚至是差分单端方式可选择的输入。针对这些要求，我们提出了一种最多可达12通道的同步并行多通道数据采集方案。该方案能实现的最高采样率为10MS...[详细]
三星Tizen智能手机再度跳票开发者们怎么看

间：2014年7月13日 07:33 腾讯科技讯 7月12日，对于三星来说，其Tizen智能手机的最新跳票可谓三星打造自有系统替代Android行动的又一次挫折。上个月，在旧金山的一个活动上，三星Tizen项目负责人J.D. Choi手举一部智能手机，称该名为Samsung Z的设备将在今年第三季度在俄罗斯开售。 Samsung Z原定于本周四在莫斯科举行的Tizen开发者大会上正...[详细]
HTC开始测试骁龙855手机：将支持5G网络

据知名爆料人Roland Quandt，HTC已经测试骁龙855芯片一段时间了。不过他强调，这并不意味着HTC会首发或者很快就推出骁龙855手机。既然HTC都已经开始验证测试，相信三星、小米等也都在紧张“动工”了。骁龙855被传将是高通旗下首款集成5G基带的旗舰SoC，除了超5Gbps的下载速率，骁龙855在CPU/GPU/DSP/ISP也会常规性升级，另外，加强本地化的AI能...[详细]
安立公司发布信号分析仪MS2840A系列

安立公司已通过增加三个新的频率型号（3.6 GHz，6 GHz和26.5 GHz）及目前的44.5 GHz型号,扩展其信号分析仪MS2840A的产品线。作为中档信号分析仪/频谱分析仪，支持卓越的窄带测量性能。拥有专门的低相位噪声选件，3.6 GHz和6 GHz的型号具有优异的近端SSB相位噪声性能，可超越其它制造商昂贵的高端机型，新选件功能如内置信号发生器由先前的MS2830A系列提供。 SSB...[详细]
国产汽车级大电流霍尔电流传感器应用案例分享

国产车规级霍尔电流传感器CH704是为50A以上大电流检测应用开发的隔离集成式电流传感芯片，具有高精度、增强绝缘耐压、高可靠性、低功耗等优点。该芯片内部集成一个精密的可编程线性霍尔芯片、一个小型聚磁环以及一个导通电阻为0.1mΩ的铜排，可实现+/-50A,+/-100A,+/-150A,+/-200A的电流检测，并且通过工厂预编程可测量最大400A的浪涌电流。内部的低偏移、斩波稳定的线性霍...[详细]