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MJB41C_05

6 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
6 A, 100 V, NPN, 硅, 功率晶体管

器件类别：半导体分立半导体

厂商名称：ON Semiconductor(安森美)

厂商官网：http://www.onsemi.cn

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参数

器件参数

参数名称

属性值

端子数量

晶体管极性

NPN

最大集电极电流

6 A

最大集电极发射极电压

100 V

加工封装描述

LEAD FREE, PLASTIC, CASE 418B-04, D2PAK-3/2

无铅

Yes

欧盟RoHS规范

Yes

状态

ACTIVE

包装形状

RECTANGULAR

包装尺寸

SMALL OUTLINE

表面贴装

Yes

端子形式

GULL WING

端子涂层

MATTE TIN

端子位置

SINGLE

包装材料

PLASTIC/EPOXY

结构

SINGLE

壳体连接

COLLECTOR

元件数量

晶体管应用

SWITCHING

晶体管元件材料

SILICON

最大环境功耗

2 W

晶体管类型

GENERAL PURPOSE POWER

最小直流放大倍数

额定交叉频率

3 MHz

热门器件

简洁的过零调功器电路设计与分析单稳态控制电路设计与分析光控电路设计与分析永不缺相启动运行的电动机控制电路 IGBT模块通过控制门极阻断过电流 MT3608构成3.7V转12V的升压电路图运算放大器IC741的基本工作原理及在电路中的实现方式比较常见的功率整流器和滤波电路一个简单的红外耳机电路基于TDA1554的立体声放大器电路

器件捷径:

00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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