MK48Z02B-25,MK48Z02B-25 pdf中文资料,MK48Z02B-25引脚图,MK48Z02B-25电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与MK48Z02B-25相近的元器件有：MK48Z02B-12、MK48Z02B-15、MK48Z02B-20。描述及对比如下：

型号	MK48Z02B-25	MK48Z02B-12	MK48Z02B-15	MK48Z02B-20
描述	2KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 250ns, PDIP24, PLASTIC, DIP-24	2KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 120ns, PDIP24, PLASTIC, DIP-24	2KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150ns, PDIP24, PLASTIC, DIP-24	2KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 200ns, PDIP24, PLASTIC, DIP-24
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)
零件包装代码	DIP	DIP	DIP	DIP
包装说明	DIP, DIP24,.6	DIP, DIP24,.6	DIP, DIP24,.6	DIP, DIP24,.6
针数	24	24	24	24
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	250 ns	120 ns	150 ns	200 ns
JESD-30 代码	R-PDIP-T24	R-PDIP-T24	R-PDIP-T24	R-PDIP-T24
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
内存密度	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit
内存集成电路类型	NON-VOLATILE SRAM MODULE	NON-VOLATILE SRAM MODULE	NON-VOLATILE SRAM MODULE	NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度	8	8	8	8
混合内存类型	N/A	N/A	N/A	N/A
功能数量	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1
端子数量	24	24	24	24
字数	2048 words	2048 words	2048 words	2048 words
字数代码	2000	2000	2000	2000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	2KX8	2KX8	2KX8	2KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
可输出	YES	YES	YES	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	DIP	DIP	DIP
封装等效代码	DIP24,.6	DIP24,.6	DIP24,.6	DIP24,.6
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	9.652 mm	9.652 mm	9.652 mm	9.652 mm
最大待机电流	0.001 A	0.001 A	0.001 A	0.001 A
最大压摆率	0.08 mA	0.08 mA	0.08 mA	0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.75 V	4.75 V	4.75 V	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm

在win CE下如何对Bluetooth编写应用程序啊?: 本人正在做毕业设计,无奈上网找不到合适的资料,在这里请教下大家了,我想知道在windows ce下如...; lxxo 嵌入式系统

How to Make 3 Partition SD Card中文手册: How to Make 3 Partition SD Card中文手册 How to Make 3 ...; 鑫海宝贝 DSP 与 ARM 处理器

基于状态机和流水线技术的3DES加密算法及其FPGA设计: 摘要：介绍了3DES加密算法的原理并详尽描述了该算法的FPGA设计实现。采用了状态机和流水线技术...; maker FPGA/CPLD

飞跳舞的四轴: 飞跳舞的四轴求制作资料越来越有创意了。高大上啊 ...; qinkaiabc 创意市集

　没有扇叶的电风扇: 1 　没有扇叶的革命性电风扇“空气增倍机”，工作原理是将空气从底座通风口吸入，再通过内藏的增压器将...; xyh_521 创意市集

嵌入式工程师AI挑战营（进阶）：在RV1106部署InsightFace算法的多人实时人脸识别实战: 上一期大家动手挑战部署MNIST实时手写数字识别最后阶段，在@knv、@luyism两位网友...; nmg 嵌入式系统

英飞凌科技携手上汽集团在华成立功率半导体合资企业

上海汽车集团股份有限公司和英飞凌科技股份公司（以下简称“英飞凌”）今日宣布成立合资企业，为中国充满活力的电动汽车市场制造功率模块。上汽集团持股51%，英飞凌持股49%。合资公司命名为“上汽英飞凌汽车功率半导体（上海）有限公司”，总部设在上海，生产基地位于英飞凌无锡工厂扩建项目内，计划在2018下半年开始批量生产。上汽英飞凌汽车功率半导体（上海）有限公司开业仪式 “通...[详细]
小鹏P7的自动泊车入位怎么样？

很早开始，各个汽车企业对于自动泊车入位的包装可以说是不遗余力，某种意义上这项技能让人感觉这简直就是新手司机的福音。如下图所示，自动泊车其实分了好多个阶段，我们想当然的认为自动泊车可以完全交给车辆，自己下了车就跑的阶段。实际上，随着智能化的发展，预计3-5年低速自主泊车是每个车企努力的方向，目前的自动泊车是在第一阶段和第二阶段。图1 自动泊车的概念我和烟烟使用P7的...[详细]
Xbox One S：扔了光盘我也能播放4K蓝光电影

看起来微软正在 Xbox One S设备和《电影和电视》应用上测试支持播放自己的4K视频内容。现在有部分用户报告称，微软已经开放了部分Xbox Insider用户观看《环太平洋》的4K UHD影片片段的功能，并收集反馈，比如是否播放流畅？是否是UHD清晰度？微软希望了解这一切。鉴于微软正在测试该服务，IT之家认为这可能是Xbox One S直接支持4K蓝光电影播放功能的...[详细]
e络盟与无源元件巨头Yageo签署全面分销协议

安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟宣布与Yageo签署新的全球特许经营协议，进一步拓展Yageo产品供应范围，以便为客户提供Yageo全系列产品。Yageo是全球最大的无源元件供应商之一，也是全球领先的片式电阻制造商、多层陶瓷电容器（MLCC）顶级供应商之一。通过这项新协议，e络盟将能快速交付Yageo全系产品组合，这也进一步拓展了e络盟品类丰富的无源元件产品系列。 Y...[详细]
嵌入式：S3C2410与S3C2440的区别

S3C2410A微处理器概述 SAMSUNG公司的S3C2410A芯片是一款16/32位的RISC微处理器芯片，芯片内使用了ARM公司的ARM920T内核，采用了称为AMBA（Advanced Microcontroller Bus Architecture，先进微处理器总线结构）的总线结构。 S3C2410A芯片组成介绍如下： ARM920T，内部包含两个协处理器、单独16KB指令Cache...[详细]
ARM指令adr adrl ldr mov简单科普

ADR 是一条小范围的地址读取伪指令,它将基于PC的相对偏移的地址值读到目标寄存器中。格式：ADR register,exper。编译源程序时，汇编器首先计算当前PC值（当前指令位置）到exper的距离,然后用一条ADD或者SUB指令替换这条伪指令，例如:ADD register,PC,#offset_to_exper。注意，标号exper与指令必须在同一代码段。比如：adr r0, _...[详细]
存储器老大三星的代工梦

三星是全球存储器老大，去年仰仗价格大幅上扬，它的销售额已经超过英特尔居首位，如今要涉足代工，而且来势汹汹，不可否认全球半导体业呈三足鼎立，英特尔、台积电及及三星，它们各有所长，竞争会十分激烈。 2017年三星高调宣布要进入代工领域，并要在未来的五年内实现代工的市占率达到25%。当时觉得它“信口开河”，是不可能的事，因为它的竞争对手是台积电。一年过后，重新审视三星的系列动作，发现可...[详细]
Qorvo集成加自屏蔽技术释放5G手机更大潜能

随着5G技术的不断发展，人们购买5G智能手机的热潮变得愈发高涨，据了解，2020 年1-9月国内市场5G手机累计出货量已过亿，同时手机里的高端应用也不断推陈出新。但在技术层面上，手机的主要区域——射频前端的复杂性也显著增加。随着移动设备可用的通信频段逐渐增多，为满足新的通信需求，更多的射频元件将被集成到射频前端模块中，然而，高度的集成化也伴随着不可忽视的干扰问题。以上问题我们将如何解...[详细]
东芝新型三相无刷风扇电机驱动器IC具有转速控制功能

东京--东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布推出具有转速控制（闭环控制）功能的三相无刷风扇电机驱动器IC——“TC78B025FTG”，该产品适用于家用电器和工业设备中采用的小型风扇应用。批量生产将于4月启动。服务器和其他应用中所使用的散热风扇必须兼具体积小、高转速和精度一致性等特点。可利用速度反馈方法实现最佳的一致性，抑制电源电压和负载变化引起的转速波动。截至目前，这一...[详细]
欧盟宣布对高通-恩智浦合并案启动深入调查

欧盟委员会(European Commission，EC)在上周五正式向高通(Qualcomm)发出战帖，宣布将启动针对该公司收购恩智浦半导体(NXP)一案的深入调查；此举又为两家公司的合并再添变数。 EC的调查程序至少需要花费4个月的时间；该委员会表示，此案结果将：“在2017年10月17日做出决策。”而EC的调查结果是否会对高通与恩智浦的结合产生影响还无法判断，这两家公司原本预计将在20...[详细]
特斯拉Megapack在澳大利亚发生“小事故”起火

2021年维多利亚大电池火灾事件的航拍照片，这被认为是第一起涉及特斯拉Megapacks的此类事件。　　澳大利亚昆士兰州一个50MW/100MWh的电网规模电池储能项目在调试进入最后阶段时发生火灾。　　项...[详细]
高通：苹果推送软件更新，依然违反中国法院禁售令

集微网消息，今（18）日早晨，苹果面向iOS正式版用户推送了iOS 12.1.2版本更新已解决iPhone在中国市场面临的专利问题。对此，路透社报道，高通表示，尽管苹果公司已经推出了软件更新，但是更新之后的iPhone依然违反中国法院发布的禁售令。早在12月10日，高通就表示，它已赢得了中国法院的初步禁售令，禁止苹果公司出售旧的型号的iPhone，法院认为这些型号违反了高通的两项软件...[详细]
英伟达移动版RTX 2080发布

集微网消息，1月7日，英伟达CEO黄仁勋在CES上展示了技嘉的RTX 2080笔记本。据介绍，在这台笔记本上玩《战地5》这类的游戏能达到60+的帧率，性能可观。黄仁勋表示，RTX 2080将让笔记本电脑的性能提升至PS4 Pro的两倍，比桌面版的GTX 1080更快，RTX卡还可以实现所谓的深度学习超级采样（DLSS），这是一种人工智能驱动的抗锯齿版本，可在不影响性能的情况下提高分辨率。 ...[详细]
汽车产业面临一些新的风险和挑战，如何提升产业核心竞争力

截至2021年，中国新能源汽车产销量已经连续七年位居全球第一，成为世界新能源汽车第一大国。中国新能源汽车市场渗透率正步入高增长快车道。自2021年起，新能源汽车全面进入市场驱动阶段，全年市场渗透率达13.4%，新能源汽车市场“黄金十五年”正在到来。根据当前政策目标以及汽车消费市场空间推算，预计到2035年，中国新能源汽车销量有6至8倍的成长空间。 2021年以前我们的新能源汽车产业主要是靠政...[详细]
车规芯片都用在车的什么部位呢

首先，由于自动驾驶和新能源车需求增加，车用储存芯片市场规模将持续扩大，其中DRAM 和NAND 为需求重点，预计21-25 年单车用DRAM 和NAND 数量将翻5 倍/10 倍，单车价值量增长均超4 倍，整体推动车用存储市场规模在25 年将达88 亿美元。存储芯片可分为闪存和内存，闪存包括NAND FLASH 和NOR FLASH，内存主要为DRAM。从应用形态上看，NAND Flash...[详细]