桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
MMBTH10
■
MAXIMUM
RATINGS
最大額定值
Symbol
符號
V
CEO
V
CBO
V
EBO
Ic
Rating
額定值
25
30
3.0
50
Unit
單½
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
Characteristic
特性參數
Collector-Emitter Voltage
集電極發射極電壓
Collector-Base Voltage
集電極基極電壓
Emitter-Base Voltage
發射極基極電壓
Collector Current-Continuous
集電極電流-連續
■
THERMAL CHARACTERISTICS
熱特性
Characteristic
特性參數
Total Device Dissipation
½耗散功率
FR-5 Board(1)
T
A
=
25℃環境溫度爲 25℃
Derate above25℃
超過
25℃遞減
Thermal Resistance Junction to Ambient
熱阻
Junction and Storage Temperature
結溫和儲存溫度
Symbol
符號
P
D
Max
最大值
225
1.8
Unit
單½
mW
mW/℃
℃/W
R
Θ
JA
556
T
J
,
T
stg
-55to+150℃
■
DEVICE
MARKING
打標
MMBTH10=3EM
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MMBTH10
■
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
電特性
)
(T
A
=25 unless otherwise noted
如無特殊說明，溫度爲
25℃)
=25℃
Characteristic
特性參數
Emitter Cutoff Current
發射極截止電流(V
EB
=2.0v,I
C
=0)
Collector Cutoff Current
集電極截止電流(V
CB
=25v,I
E
=0)
Collector-Base Breakdown Voltage
集電極基極擊穿電壓(Ic=100uA)
Collector-Emitter Breakdown Voltage
集電極發射極擊穿電壓(Ic=1mA)
Emitter-Base Breakdown Voltage
發射極基極擊穿電壓(I
E
=10uA)
Collector Saturation Voltage
集電極½和壓降(Ic=4mAdc,I
B
=0.4mA)
DC Current Gain
直流電流增益
(V
CE
=10v,I
C
=4mA)
Gain Bandwidth Product
增益帶寬乘積(V
CE
=10v,I
C
=4mA)
Output Capacitance
輸出電容
(V
CB
=10v,I
E
=0,f=1.0MHz)
1. FR-5=1.0×0.75×0.062in.
2. Alumina=0.4×0.3×0.024in.99.5%alumina.
Symbol
符號
I
EBO
I
CBO
V
(BR)CBO
Min
最小值
—
Typ
典型值
—
Max
最大值
100
Unit
單½
n
A
—
—
100
n
A
30
—
—
V
V
(BR)CEO
25
—
—
V
V
(BR)EBO
3
—
—
V
V
CE(sat)
—
—
0.5
Vdc
H
FE
60
—
—
f
T
650
—
—
MHz
C
ob
—
—
0.7
pF
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■
DIMENSION
外½封裝尺寸
單½(UNIT)：mm
