MPSA44-BK
MPSA44-BK
NPN
Version 2011-07-07
High voltage Si-epitaxial planar transistors
Hochspannungs-Si-Epitaxial Planar-Transistoren
Power dissipation
Verlustleistung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
NPN
625 mW
TO-92
(10D3)
0.18 g
4.6
4.6
±0.1
±0.1
E BC
min 12.5
Weight approx.
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Special packaging bulk
Sonder-Lieferform Schüttgut
2 x 1.27
Dimensions / Maße [mm]
Maximum ratings (T
A
= 25°C)
Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung
Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung
Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (dc)
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
B open
E open
C open
V
CEO
V
CBO
V
EBO
P
tot
I
C
Grenzwerte (T
A
= 25°C)
MPSA44
400 V
500 V
6V
625 mW
1
)
300 mA
-55...+150°C
-55…+150°C
T
j
T
S
Characteristics (T
j
= 25°C)
Min.
Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom
I
E
= 0, V
CB
= 400 V
Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom
I
B
= 0, V
EB
= 4 V
I
C
= 1 mA, I
B
= 0.1 mA
I
C
= 10 mA, I
B
= 1 mA
I
C
= 50 mA, I
B
= 5 mA
MPSA44
MPSA44
I
EB0
V
CEsat
V
CEsat
V
CEsat
–
–
MPSA44
I
CB0
–
Kennwerte (T
j
= 25°C)
Typ.
–
–
–
Max.
100 nA
100 nA
400 mV
500 mV
750 mV
Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung
2
)
1
2
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
MPSA44-BK
Characteristics (T
j
= 25°C)
Min.
Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung
1
)
I
C
= 10 mA, I
B
= 1 mA
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
V
CE
= 10 V, I
C
= 1 mA
V
CE
= 10 V, I
C
= 10 mA
V
CE
= 10 V, I
C
= 50 mA
V
CE
= 10 V, I
C
= 100 mA
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität
V
CB
= 20 V, I
E
= i
e
= 0, f = 1 MHz
Thermal resistance junction – ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Recommended complementary PNP transistors
Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren
MPSA44
C
CB0
R
thA
–
–
< 200 K/W
2
)
MPSA94
7pF
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
40
50
45
40
–
200
–
–
–
–
–
–
V
BEsat
–
–
750 mV
Kennwerte (T
j
= 25°C)
Typ.
Max.
120
[%]
100
80
60
40
20
P
tot
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
1
Power dissipation versus ambient temperature )
1
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
1
2
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
2
