MR2406F,MR2406F pdf中文资料,MR2406F引脚图,MR2406F电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与MR2406F相近的元器件有：MR2400FR、MR2404FR、MR2402F、MR2401F、MR2400F、MR2406FR。描述及对比如下：

型号	MR2406F	MR2400FR	MR2404FR	MR2402F	MR2401F	MR2400F	MR2406FR
描述	RECTIFIER DIODE,600V V(RRM),SIP	RECTIFIER DIODE,SCHOTTKY,50V V(RRM),SIP	RECTIFIER DIODE,400V V(RRM),SIP	RECTIFIER DIODE,SCHOTTKY,200V V(RRM),SIP	RECTIFIER DIODE,SCHOTTKY,100V V(RRM),SIP	RECTIFIER DIODE,SCHOTTKY,50V V(RRM),SIP	RECTIFIER DIODE,600V V(RRM),SIP
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
包装说明	R-PSFM-T2	R-PSFM-T2	R-PSFM-T2	R-PSFM-T2	R-PSFM-T2	R-PSFM-T2	R-PSFM-T2
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.3 V	1.3 V	1.3 V	1.3 V	1.3 V	1.3 V	1.3 V
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
元件数量	1	1	1	1	1	1	1
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
最大输出电流	24 A	24 A	24 A	24 A	24 A	24 A	24 A
最大重复峰值反向电压	600 V	50 V	400 V	200 V	100 V	50 V	600 V
最大反向恢复时间	0.2 µs	0.3 µs	0.2 µs	0.3 µs	0.3 µs	0.3 µs	0.2 µs
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
厂商名称	NXP(恩智浦)	-	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)
应用	-	FAST RECOVERY POWER	FAST RECOVERY POWER	FAST RECOVERY POWER	FAST RECOVERY POWER	FAST RECOVERY POWER	FAST RECOVERY POWER
外壳连接	-	ANODE	ANODE	CATHODE	CATHODE	CATHODE	ANODE
二极管元件材料	-	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
JESD-30 代码	-	R-PSFM-T2	R-PSFM-T2	R-PSFM-T2	R-PSFM-T2	R-PSFM-T2	R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流	-	300 A	300 A	300 A	300 A	300 A	300 A
相数	-	1	1	1	1	1	1
端子数量	-	2	2	2	2	2	2
最低工作温度	-	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C
封装主体材料	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	-	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大反向电流	-	25 µA	25 µA	25 µA	25 µA	25 µA	25 µA
技术	-	SCHOTTKY	-	SCHOTTKY	SCHOTTKY	SCHOTTKY	-
端子形式	-	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	-	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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来碰碰运气,坛子里面有没有做过载波同步的?: 最近需要用FPGA做个数字接收机,载波同步上遇到点困难,恰逢楼主通信方面知识相当欠缺..资料什么的看...; astwyg FPGA/CPLD

关于OpenGL ES: 请问，要在自己的开发板的系统上加上OPENGL ES的代码，要从哪里入手？关于OpenGL ES ...; 5151515151 嵌入式系统

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瑞萨电子发布内置安全功能的微控制器RS47X

瑞萨电子株式会社（TSE：6723，以下简称“瑞萨电子”）于2011年3月7日宣布作为信用卡等金融支付/结算卡、身份证卡、公交用IC卡等各种IC卡使用的内置有安全功能的微控制器（安全微控制器（注1））、配备有大容量存储器的「RS47X」型产品正式生产，并于2011年4月开始供应样品。新产品把用来储存IC卡应用程序和数据的储存器EEPROM（Electrically Erasable and...[详细]
基于FPGA的同步测周期高精度数字频率计的设计

摘要：本文介绍了一种同步测周期计数器的设计，并基于该计数器设计了一个高精度的数字频率计。文中给出了计数器的VHDL编码，并对频率计的FPGA实现进行了仿真验证，给出了测试结果。在现代数字电路设计中，采用FPGA结合硬件描述语言VHDL可以设计出各种复杂的时序和逻辑电路，具有设计灵活、可编程、高性能等优点。本文将介绍一种基于FPGA，采用同步测周期的方法来实现宽频段高精度数字频率计的设计。...[详细]
联想陈旭东：智能手机市场已变成“罗马斗兽场”

　　搜狐科技文/范蓉　　联想移动业务集团总裁陈旭东今日在T-Edge峰会上表示，今天的智能手机市场像是一个“罗马斗兽场”，Android手机厂商就是在里面相互厮杀的角斗士，而苹果坐在看台上看着大家在里面厮杀，掠夺胜利的果实。“目前Android手机行业产生了一个可怕的现象，Android手机厂商之间非常残酷的竞争，实际上是在帮助苹果培养中高端客户，最后中高端的客户都被苹果抢走。“ ...[详细]
刘江峰助阵锤子发布会要发布智能锁+坚果2？

集微网消息，上个月优点家官微晒出了罗永浩造访优点科技与刘江峰的合影，并宣布将联合锤子科技推出首款家用智能门锁，并在锤子发布会上亮相，引发外界猜测，难不成在华为、酷派待过的刘江峰要跟罗永浩在发布会上一起讲相声。事实上从双方官微同时宣布4月9日在北京工业大学奥林匹克体育馆举办发布会来看，刘江峰与罗永浩同台的可能性几乎确定下来了。再从罗永浩与刘江峰双方微博中一个爱心，一个送花的互动情况来看...[详细]
什么是示波器？示波器的种类，示波器工作原理

　　示波器用来测量交流电或脉冲电流波的形状的仪器，由电子管放大器、扫描振荡器、阴极射线管等组成。除观测电流的波形外，还可以测定频率、电压强度等。凡可以变为电效应的周期性物理过程都可以用示波器进行观测。　　　　示波器分为数字示波器和模拟示波器。模拟示波器采用的是模拟电路（示波管，其基础是电子枪）电子枪向屏幕发射电子,发射的电子经聚焦形成电子束,并打到屏幕上。屏幕的内表面涂有荧光物质,这样电子束打...[详细]
京东方的机会来了，苹果加速去三星化

集微网消息，当前全球智能手机界的两大巨头苹果和三星，无疑是彼此最大的竞争对手。但是，三星却也是苹果最大的屏幕供应商。近来，苹果加速去三星化，拥抱中国大陆与中国台湾科技大厂，不仅下一代iPhone OLED可能新增京东方、夏普等面板厂供货，iPhone XS系列新机也扩大导入日月光、德赛等厂产品，未受贸易战影响。苹果加速去三星化业界指出，三星在面板、存储器等关键零组件具领先地位，并积极发展...[详细]
工信部要求加快NB-IoT落地：2020年建成基站150万个

记者6月15日获悉，工信部办公厅近日发布了《关于全面推进移动物联网（NB-IoT）建设发展的通知》。《通知》指出，建设广覆盖、大连接、低功耗的移动物联网基础设施，有助于推进网络强国和制造强国建设。《通知》要求，加快推进网络部署，构建NB-IoT网络基础设施。到2017年末，实现NB-IoT网络覆盖直辖市、省会城市等主要城市，基站规模达到40万个；到2020年，NB-IoT网络实现全国普遍覆盖，...[详细]
机器视觉采用USB3.0接口标准的应用趋势

USB3.0作为行业全新的技术规范，其推动了对带宽有更高要求的其他相关技术的发展，提高了多设备应用带宽。由于USB3.0具有诸多技术优势，展望其发展前景更是一片大好。USB3.0的技术优势主要体现在以下几个方面：　　1、其带宽超过USB2.0、IEEE1394b和GigE 　　2、用一根线缆传输电力和数据　　3、实施成本低于CameraLink 　　4、即插即用，且比Gig...[详细]
PI新推出的LinkSwitch-HP可为90W的电源提供初级侧稳压

美国加利福尼亚州圣何塞，2012年7月24日讯– 用于高能效电源转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations公司（纳斯达克股票代号：POWI）今日宣布推出新的高能效、离线式开关IC产品系列 – LinkSwitch-HP，该系列器件的输出功率最高可达90 W并可实现精确的初级侧稳压(PSR)。 LinkSwitch-HP IC采用创新的控制算法并利用主功率变压器和输出二...[详细]
有高通才能叫青年良品魅蓝Note 6拆解

北京时间8月23日，魅族科技在北京演艺中心正式发布魅蓝Note 6。而魅蓝Note 6也是魅蓝、魅族分拆后运营的首款产品。魅蓝Note6 没有搭载了被用户吐槽的万年联发科，而是采用了广受好评、性能功耗又很均衡的高通骁龙625平台，搭载后置双摄1200w+500w的组合，这也是魅蓝产品首次搭载后置双摄，其中3G+16GB售价1099元，3G+32GB版售价1299元，4G+64GB版本售价...[详细]
松下纯利预降六成加速向中国转移锂电池产能

EnergyTrend指出，松下公司近日公布了2011财年业绩预期，受日本大地震等因素影响，松下预计净利润将较上一财年下降59.5%，仅为300亿日元，约合人民币24.2亿元。至于截至9月的上半财年，松下则预计将净亏损700亿日元，约合56.5亿元人民币。松下纯利本财年预降六成松下电器给出的预期并不乐观，集团截至2012年3月底年度纯利将较去年同期减少59%至300亿日...[详细]
STM32的RTC的原理与使用(附代码)

一、特征及定义 RTC(Real Time Clock 实时时钟)：是个独立的BCD定时器/计数器。RTC 提供一个日历时钟，两个可编程闹钟中断，以及一个具有中断功能的周期性可编程唤醒标志。RTC还包含用于管理低功耗模式的自动唤醒单元。两个32位寄存器包含二进码十进制格式(BCD)的秒，分钟，小时（12或24小时制），星期几，日期，月份和年份。此外，还可以提供二进制的亚秒值。系统可以...[详细]
“电池门”事件扩大化，ThinkPad电池包三大系列难幸免

IBM和联想将召回50多万套装配了索尼可充电锂离子电池的ThinkPad笔记本电脑电池包。据悉，IBM和联想是和CPSC合作来召回这些电池包的，其中包括在美国的16.85万套和全世界其它地方的35.75套。这些召回的锂离子电池包有的是以配件的形式销售，有的是装在各种型号的ThinkPad笔记本电脑中，包括T系列(T43, T43p, T60)、R系列(R51e, R52, R60, R60e...[详细]
是德科技携手泰尔终端实验室(CTTL) 完成首个CTIA MIMO OTA动态信道模型测试系统验证

是德科技携手泰尔终端实验室(CTTL) 完成首个CTIA MIMO OTA动态信道模型测试系统验证 • 此次合作成功验证 5G NR FR1 首个动态 MIMO OTA信道模型 • 该解决方案可以对不同的终端设备制造商以及芯片组供应商的实际性能进行测试验证是德科技（Keysight Technologies, Inc.）日前宣布，该公司与泰尔终端实验室依据CTIA定义的5G ...[详细]
又摘桂冠！新新钒钛在雄安国际光储直柔技术应用大赛中获得一等奖

　　雄安新区举办的首届“国际光储直柔技术应用大赛”中，承德新新钒钛储能科技有限公司荣获大赛一等奖，为建设雄安新区智慧城市提供了来自新能源储能与AI系统结合的解决方案。　　雄安新区，位于中国河北省，是继深圳经济特区和上海浦东新区之后又一具有全国意义的新区，旨在打造创新驱动发展引领区、协调发展示范区、开放发展先行区，以及贯彻落实新发展理念的创新发展示范区，定位为京津冀世界级城...[详细]