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MR27V852D-GS-K

描述:
OTP ROM, 1MX8, 80ns, CMOS, PDSO44
分类:
存储    存储   
文件大小:
439KB,共12页
制造商:
概述
OTP ROM, 1MX8, 80ns, CMOS, PDSO44
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
LAPIS Semiconductor Co Ltd
包装说明
SOP, SOP44,.63
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
EAR99
最长访问时间
80 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PDSO-G44
JESD-609代码
e0
内存密度
8388608 bi
内存宽度
8
端子数量
44
字数
1048576 words
字数代码
1000000
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
1MX8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
SOP
封装等效代码
SOP44,.63
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
电源
3.3 V
认证状态
Not Qualified
最大待机电流
0.00001 A
最大压摆率
0.08 mA
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
GULL WING
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
文档预览
参数对比
与MR27V852D-GS-K相近的元器件有:MR27V852D-RS。描述及对比如下:
型号 MR27V852D-GS-K MR27V852D-RS
描述 OTP ROM, 1MX8, 80ns, CMOS, PDSO44 OTP ROM, 1MX8, 80ns, CMOS, PDIP42
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd
包装说明 SOP, SOP44,.63 DIP, DIP42,.6
Reach Compliance Code unknow unknown
最长访问时间 80 ns 80 ns
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-G44 R-PDIP-T42
JESD-609代码 e0 e0
内存密度 8388608 bi 8388608 bit
内存宽度 8 8
端子数量 44 42
字数 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 1MX8 1MX8
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP DIP
封装等效代码 SOP44,.63 DIP42,.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE
电源 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.00001 A 0.00001 A
最大压摆率 0.08 mA 0.08 mA
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL
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