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MR752

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 200V V(RRM), Silicon,

器件类别：分立半导体    二极管   

厂商名称：Microsemi

厂商官网：https://www.microsemi.com

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器件：MR752

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Microsemi
Reach Compliance Code
not_compliant
其他特性
LOW FORWARD VOLTAGE, LOW LEAKAGE CURRENT
应用
GENERAL PURPOSE
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)
0.9 V
JESD-30 代码
O-XADB-W2
JESD-609代码
e0
最大非重复峰值正向电流
400 A
元件数量
1
相数
1
端子数量
2
最高工作温度
175 °C
最大输出电流
6 A
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装形状
ROUND
封装形式
DISK BUTTON
峰值回流温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
认证状态
Not Qualified
最大重复峰值反向电压
200 V
表面贴装
NO
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
WIRE
端子位置
AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
文档预览
21201 Itasca St.
Chatsworth, CA 91311
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
MR750
thru
MR760
Features
•
•
•
•
•
Low Cost
Low Forward Voltage Drop
High Current Capability
High Surge Current Capability
Low Leakage
6 Amp Rectifier
50 - 1000 Volts
Leaded Button
D
Maximum Ratings
•
•
Operating Temperature: -65°C to +175°C
Storage Temperature: -65°C to +175°C
Microsemi
Part Number
MR750
MR751
MR752
MR754
MR756
MR758
MR760
Maximum
Recurrent
Peak Reverse
Voltage
50V
100V
200V
400V
600V
800V
1000V
Maximum
RMS Voltage
35V
70V
140V
280V
420V
560V
700V
Maximum DC
Blocking
Voltage
50V
100V
200V
400V
600V
800V
1000V
E
K
C B
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
I
F(AV)
6.0A
T
A
= 60°C
Current
Peak Forward Surge
I
FSM
400A
8.3ms, half sine
Current
Maximum
0.90V
I
FM
= 6.0A;
Instantaneous
V
F
Forward Voltage
T
A
= 25°C*
Maximum DC
Reverse Current At
I
R
25µA
T
J
= 25°C
Rated DC Blocking
1.0mA
T
J
= 100°C
Voltage
Typical Junction
C
J
225pF
Measured at
Capacitance
1.0MHz, V
R
=4.0V
*Pulse test: Pulse width 300
µsec,
Duty cycle 1%
A
DIMENSIONS
INCHES
MIN
.332
.234
.165
.050
5°
.990
MM
MIN
8.43
5.94
4.19
1.27
5°
25.15
DIM
A
B
C
D
E
K
MAX
.342
.246
.175
.053
---
1.010
MAX
8.69
6.25
4.45
1.35
---
25.65
NOTE
Nominal
MR750 thru MR760
Figure 1
Typical Forward Characteristics
200
100
60
40
5
20
Amps 10
6
4
2
25°C
1
.6
.4
.2
.1
.6
.8
1.0
Volts
Instantaneous Forward Current - Amperes
versus
Instantaneous Forward Voltage - Volts
1.2
1.4
1.6
0
1
Single Phase, Half Wave
60Hz Resistive or Inductive Load
0
50
75
100
°C
Average Forward Rectified Current - Amperes
versus
Ambient Temperature -
°C
125
150
175
Amps
2
4
6
Figure 2
Forward Derating Curve
3
Figure 3
Typical Thermal Resistance versus Lead Length (Both Sides Equal Length)
20
15
°C/W
10
5
0
.1
.2
.3
Inches
.4
.5
.6
.7
.8
.9
1.0
1.1
Thermal Resistance -
°C/W
versus
Equal Lead Length To Heat Sink - Inches
MR750 thru MR760
Figure 4
Typical Reverse Characteristics
100
60
40
20
10
6
4
2
T
J
=100°C
µAmps
1
.6
.4
.2
.1
.06
.04
.02
.01
T
J
=25°C
Figure 6
Forward Derating Curve (1/8” Lead Lengths)
60
80
Volts
25
Instantaneous Reverse Leakage Current - MicroAmperes
versus
Percent Of Rated Peak Reverse Voltage - Volts
20
100
120
140
30
Amps
600
500
400
300
200
100
0
1
4
6
8 10 20
Cycles
Peak Forward Surge Current - Amperes
versus
Number Of Cycles At 60Hz - Cycles
40
60 80 100
Figure 5
Maximum Non-Repetitive Forward Surge Current
2
20
40
15
Amps
10
5
Single Phase, Half Wave
60Hz Resistive or Inductive Load
0
50
75
100
°C
Average Forward Rectified Current - Amperes
versus
Ambient Temperature -
°C
125
150
175
0
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参数对比
与MR752相近的元器件有：MR754、MR756、MR758、HVPS2E2104ABX、MR751。描述及对比如下：
型号 MR752 MR754 MR756 MR758 HVPS2E2104ABX MR751
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 200V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 400V V(RRM), Silicon Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 600V V(RRM), Silicon Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 800V V(RRM), Silicon RESISTOR, 0.25 W, 0.05 %, 25 ppm, 2100000 ohm, THROUGH HOLE MOUNT, SIP Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 100V V(RRM), Silicon
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant unknown not_compliant
其他特性 LOW FORWARD VOLTAGE, LOW LEAKAGE CURRENT LOW FORWARD VOLTAGE, LOW LEAKAGE CURRENT LOW FORWARD VOLTAGE, LOW LEAKAGE CURRENT LOW FORWARD VOLTAGE, LOW LEAKAGE CURRENT PRECISION LOW FORWARD VOLTAGE, LOW LEAKAGE CURRENT
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
端子数量 2 2 2 2 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 125 °C 175 °C
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND RECTANGULAR PACKAGE ROUND
封装形式 DISK BUTTON DISK BUTTON DISK BUTTON DISK BUTTON Radial DISK BUTTON
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
厂商名称 Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi - Microsemi
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE - GENERAL PURPOSE
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE - SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON - SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.9 V 0.9 V 0.9 V 0.9 V - 0.9 V
JESD-30 代码 O-XADB-W2 O-XADB-W2 O-XADB-W2 O-XADB-W2 - O-XADB-W2
最大非重复峰值正向电流 400 A 400 A 400 A 400 A - 400 A
元件数量 1 1 1 1 - 1
相数 1 1 1 1 - 1
最大输出电流 6 A 6 A 6 A 6 A - 6 A
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED - UNSPECIFIED
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified - Not Qualified
最大重复峰值反向电压 200 V 400 V 600 V 800 V - 100 V
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE - WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL - AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
热门器件
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器件捷径:
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ
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