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MR852GP

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2

器件类别：分立半导体    二极管   

厂商名称：Fagor Electrónica

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参数 预览 参数对比
器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Fagor Electrónica
包装说明
PLASTIC PACKAGE-2
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
应用
FAST RECOVERY
外壳连接
ISOLATED
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)
1.25 V
JEDEC-95代码
DO-201AD
JESD-30 代码
O-PALF-W2
JESD-609代码
e0
湿度敏感等级
1
最大非重复峰值正向电流
100 A
元件数量
1
相数
1
端子数量
2
最高工作温度
175 °C
最低工作温度
-65 °C
最大输出电流
3 A
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
ROUND
封装形式
LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）
260
认证状态
Not Qualified
参考标准
IEC-134
最大重复峰值反向电压
200 V
最大反向电流
5 µA
最大反向恢复时间
0.15 µs
表面贴装
NO
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
WIRE
端子位置
AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
文档预览
MR850GP......MR856GP
3 Amp. Glass Passivated Fast Recovery Rectifier
Dimensions in mm.
DO-201 AD
(Plastic)
Voltage
50 to 600 V.
Current
3.0 A. at 90 °C.
®
9.1
± 0.3
62.5
± 0.5
Mounting instructions
1. Min. distance from body to soldering point,
4 mm.
2. Max. solder temperature, 350 °C.
3. Max. soldering time, 3.5 sec.
4. Do not bend lead at a point closer than
3 mm. to the body.
•
Glass passivated junction
•
High current capability
•
The plastic material carries
U/L recognition 94 V-0
•
Terminals: Axial Leads
•
Polarity: Color band denotes cathode
Maximum Ratings, according to IEC publication No. 134
MR
850 GP
MR
851 GP
100
MR
852 GP
200
MR
854 GP
400
MR
856 GP
600
V
RRM
I
F(AV)
I
FRM
I
FSM
t
rr
T
j
T
stg
E
RSM
Peak recurrent and non recurrent reverse voltage (V)
Forward current at Tamb = 90 °C
Recurrent peak forward current (A)
10 ms. peak forward surge current
Max. reverse recovery
time from
I
F
= 0.5 A
I
R
= 1 A
I
RR
= 0.25 A
50
3.0 A
15 A
100 A
150 ns
– 65 to + 175 °C
– 65 to + 175 °C
20 mJ
Operating temperature range
Storage temperature range
Maximum non repetitive peak
reverse avalanche energy.
I
R
= 1A ; T
J
= 25 ºC
Electrical Characteristics at Tamb = 25 °C
V
F
I
R
R
thj-a
Max. forward voltage drop at I
F
= 3 A
at 25
o
C
Max. reverse current at V
RRM
at 125
o
C
Thermal resistance (I = 10 mm.) Max.
Typ.
1.25 V
5µA
100 µ A
30 °C/W
15 °C/W
MR850GP
Rating And Characteristic Curves
TYPICAL FORWARD CHARACTERISTIC
FORWARD CURRENT DERATING CURVE
100
5
10 mm. - 10 mm.
4
10
3
1
T
j
= 25 °C
2
1
0.1
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0
25
50
75 100 125 150 175
V
F '
instantaneous forward voltage (V)
Tamb, ambient temperature (ºC)
MAXIMUM NON REPETITIVE
PEAK FORWARD SURGE CURRENT
TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
100
100
T
j
= 25ºC
50
75
T
j
= 25ºC
f = 1 MHz
50
10
25
0
1
2
4 6
10
20
40
100
Number of cycles at 50 Hz.
5
1
5
10
50
100
V
R
reverse voltage (V)
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参数对比
与MR852GP相近的元器件有：MR851GP。描述及对比如下：
型号 MR852GP MR851GP
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
包装说明 PLASTIC PACKAGE-2 PLASTIC PACKAGE-2
Reach Compliance Code unknown not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
应用 FAST RECOVERY FAST RECOVERY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.25 V 1.25 V
JEDEC-95代码 DO-201AD DO-201AD
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2
JESD-609代码 e0 e0
湿度敏感等级 1 1
最大非重复峰值正向电流 100 A 100 A
元件数量 1 1
相数 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C
最大输出电流 3 A 3 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度） 260 260
认证状态 Not Qualified Not Qualified
参考标准 IEC-134 IEC-134
最大重复峰值反向电压 200 V 100 V
最大反向电流 5 µA 5 µA
最大反向恢复时间 0.15 µs 0.15 µs
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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