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MSM2128-15RS

描述:
Standard SRAM, 2KX8, 150ns, NMOS, PDIP24, DIP-24
分类:
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文件大小:
219KB,共5页
制造商:
概述
Standard SRAM, 2KX8, 150ns, NMOS, PDIP24, DIP-24
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
No
Is Samacsys
N
YTEOL
0
Objectid
1167350589
包装说明
DIP-24
Reach Compliance Code
Unknown
ECCN代码
EAR99
内存密度
16384 bit
内存宽度
8
组织
2KX8
标称供电电压 (Vsup)
5 V
最长访问时间
150 ns
并行/串行
PARALLEL
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
工作模式
ASYNCHRONOUS
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
功能数量
1
字数
2048 words
字数代码
2000
输出特性
3-STATE
最大压摆率
0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
I/O 类型
COMMON
温度等级
COMMERCIAL
技术
NMOS
JESD-30 代码
R-PDIP-T24
JESD-609代码
e0
认证状态
Not Qualified
端子数量
24
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP24,.6
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
表面贴装
NO
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
文档预览
热门器件
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器件捷径:
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ
索引文件:
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