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MSM3764A-20AS

描述：
Page Mode DRAM, 64KX1, 200ns, MOS, CDIP16
分类：
存储    存储   
文件大小：
752KB，共17页
制造商：
LAPIS Semiconductor Co Ltd
概述
Page Mode DRAM, 64KX1, 200ns, MOS, CDIP16
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
Objectid
1164774383
包装说明
DIP, DIP16,.3
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
YTEOL
0
最长访问时间
200 ns
I/O 类型
SEPARATE
JESD-30 代码
R-XDIP-T16
JESD-609代码
e0
内存密度
65536 bit
内存集成电路类型
PAGE MODE DRAM
内存宽度
1
端子数量
16
字数
65536 words
字数代码
64000
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
64KX1
输出特性
3-STATE
封装主体材料
CERAMIC
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP16,.3
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
认证状态
Not Qualified
刷新周期
128
最大压摆率
0.06 mA
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
MOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
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索引文件:
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