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MSM411000-12RS

描述:
Page Mode DRAM, 1MX1, 120ns, MOS, PDIP18,
分类:
存储    存储   
文件大小:
891KB,共13页
制造商:
概述
Page Mode DRAM, 1MX1, 120ns, MOS, PDIP18,
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
Objectid
101064202
包装说明
DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
YTEOL
4
最长访问时间
120 ns
I/O 类型
SEPARATE
JESD-30 代码
R-PDIP-T18
JESD-609代码
e0
内存密度
1048576 bit
内存集成电路类型
PAGE MODE DRAM
内存宽度
1
端子数量
18
字数
1048576 words
字数代码
1000000
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
1MX1
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP18,.3
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
认证状态
Not Qualified
刷新周期
512
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
MOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
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