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MSM411001-12RS

描述：
Nibble Mode DRAM, 1MX1, 120ns, MOS, PDIP18,
文件大小：
953KB，共13页
制造商：
LAPIS Semiconductor Co Ltd
概述
Nibble Mode DRAM, 1MX1, 120ns, MOS, PDIP18,
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
Objectid
101067821
包装说明
DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
YTEOL
4
最长访问时间
120 ns
I/O 类型
SEPARATE
JESD-30 代码
R-PDIP-T18
JESD-609代码
e0
内存密度
1048576 bit
内存集成电路类型
NIBBLE MODE DRAM
内存宽度
1
端子数量
18
字数
1048576 words
字数代码
1000000
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
1MX1
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP18,.3
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
认证状态
Not Qualified
刷新周期
512
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
MOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
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器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
索引文件:
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