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MSM4256VL-55

Standard SRAM, 256KX4, 55ns, CMOS, CDIP28

器件类别：存储存储

厂商名称：APTA Group Inc

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参数

器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

不符合

厂商名称

APTA Group Inc

包装说明

DIP, DIP28,.1

Reach Compliance Code

unknow

最长访问时间

55 ns

I/O 类型

COMMON

JESD-30 代码

R-XDIP-T28

JESD-609代码

内存密度

1048576 bi

内存集成电路类型

STANDARD SRAM

内存宽度

端子数量

字数

262144 words

字数代码

256000

工作模式

ASYNCHRONOUS

最高工作温度

70 °C

最低工作温度

组织

256KX4

输出特性

3-STATE

封装主体材料

CERAMIC

封装代码

DIP

封装等效代码

DIP28,.1

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

IN-LINE

并行/串行

PARALLEL

电源

5 V

认证状态

Not Qualified

最大待机电流

0.0001 A

最小待机电流

2 V

最大压摆率

0.12 mA

标称供电电压 (Vsup)

5 V

表面贴装

技术

CMOS

温度等级

COMMERCIAL

端子面层

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子形式

THROUGH-HOLE

端子节距

2.54 mm

端子位置

DUAL

热门器件

简洁的过零调功器电路设计与分析单稳态控制电路设计与分析光控电路设计与分析永不缺相启动运行的电动机控制电路 IGBT模块通过控制门极阻断过电流 MT3608构成3.7V转12V的升压电路图运算放大器IC741的基本工作原理及在电路中的实现方式比较常见的功率整流器和滤波电路一个简单的红外耳机电路基于TDA1554的立体声放大器电路

器件捷径:

00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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