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MSM511000-12RS

描述：

Fast Page DRAM, 1MX1, 120ns, CMOS, PDIP18

分类：

存储存储

文件大小：

962KB，共15页

制造商：

LAPIS Semiconductor Co Ltd

概述

Fast Page DRAM, 1MX1, 120ns, CMOS, PDIP18

器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

不符合

Objectid

101042713

包装说明

DIP, DIP18,.3

Reach Compliance Code

unknown

ECCN代码

EAR99

最长访问时间

120 ns

I/O 类型

SEPARATE

JESD-30 代码

R-PDIP-T18

JESD-609代码

内存密度

1048576 bit

内存集成电路类型

FAST PAGE DRAM

内存宽度

端子数量

字数

1048576 words

字数代码

1000000

最高工作温度

70 °C

最低工作温度

组织

1MX1

输出特性

3-STATE

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装代码

DIP

封装等效代码

DIP18,.3

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

IN-LINE

认证状态

Not Qualified

刷新周期

512

最大待机电流

0.001 A

最大压摆率

0.065 mA

标称供电电压 (Vsup)

5 V

表面贴装

技术

CMOS

温度等级

COMMERCIAL

端子面层

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子形式

THROUGH-HOLE

端子节距

2.54 mm

端子位置

DUAL

热门器件

采用LM3886的高性能立体声音频放大器 25瓦特MOSFET音频放大器 30W AB类放大器小型调幅发射机远程调频发射器电路 250mW FM VHF发射机手机FM发射器 BH1417 锁相环FM发射器 LED脉冲驱动器带低音增强功能的10W音频放大器

器件捷径:

E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

索引文件:

1286 1682 1620 1513 272 26 34 33 31 6

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