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MSM511001-10JS

描述：
Nibble Mode DRAM, 1MX1, 100ns, CMOS, PDSO20
分类：
存储    存储   
文件大小：
649KB，共17页
制造商：
LAPIS Semiconductor Co Ltd
概述
Nibble Mode DRAM, 1MX1, 100ns, CMOS, PDSO20
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
Objectid
101067521
包装说明
SOJ, SOJ20/26,.34
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
YTEOL
0
最长访问时间
100 ns
I/O 类型
SEPARATE
JESD-30 代码
R-PDSO-J20
JESD-609代码
e0
内存密度
1048576 bit
内存集成电路类型
NIBBLE MODE DRAM
内存宽度
1
端子数量
20
字数
1048576 words
字数代码
1000000
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
1MX1
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
SOJ
封装等效代码
SOJ20/26,.34
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
认证状态
Not Qualified
刷新周期
512
最大待机电流
0.001 A
最大压摆率
0.075 mA
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
J BEND
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
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