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MSM511002B-10RS

描述:
Static Column DRAM, 1MX1, 100ns, CMOS, PDIP18
分类:
存储    存储   
文件大小:
725KB,共17页
制造商:
概述
Static Column DRAM, 1MX1, 100ns, CMOS, PDIP18
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
LAPIS Semiconductor Co Ltd
包装说明
DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Code
unknown
最长访问时间
100 ns
I/O 类型
SEPARATE
JESD-30 代码
R-PDIP-T18
JESD-609代码
e0
内存密度
1048576 bit
内存集成电路类型
STATIC COLUMN DRAM
内存宽度
1
端子数量
18
字数
1048576 words
字数代码
1000000
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
1MX1
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP18,.3
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
512
最大待机电流
0.001 A
最大压摆率
0.06 mA
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
文档预览
参数对比
与MSM511002B-10RS相近的元器件有:MSM511002B-60ZS、380LX561M160H032、MSM511002B-60RS、MSM511002B-10ZS、MSM511002B-10JS。描述及对比如下:
型号 MSM511002B-10RS MSM511002B-60ZS 380LX561M160H032 MSM511002B-60RS MSM511002B-10ZS MSM511002B-10JS
描述 Static Column DRAM, 1MX1, 100ns, CMOS, PDIP18 Static Column DRAM, 1MX1, 60ns, CMOS, PZIP20 Latest available ratings, worldwide Static Column DRAM, 1MX1, 60ns, CMOS, PDIP18 Static Column DRAM, 1MX1, 100ns, CMOS, PZIP20 Static Column DRAM, 1MX1, 100ns, CMOS, PDSO20
是否Rohs认证 不符合 不符合 - 不符合 不符合 不符合
厂商名称 LAPIS Semiconductor Co Ltd - - LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd
包装说明 DIP, DIP18,.3 ZIP, ZIP20,.1 - DIP, DIP18,.3 ZIP, ZIP20,.1 SOJ, SOJ20/26,.34
Reach Compliance Code unknown unknown - unknown unknown unknow
最长访问时间 100 ns 60 ns - 60 ns 100 ns 100 ns
I/O 类型 SEPARATE SEPARATE - SEPARATE SEPARATE SEPARATE
JESD-30 代码 R-PDIP-T18 R-PZIP-T20 - R-PDIP-T18 R-PZIP-T20 R-PDSO-J20
JESD-609代码 e0 e0 - e0 e0 e0
内存密度 1048576 bit 1048576 bit - 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bi
内存集成电路类型 STATIC COLUMN DRAM STATIC COLUMN DRAM - STATIC COLUMN DRAM STATIC COLUMN DRAM STATIC COLUMN DRAM
内存宽度 1 1 - 1 1 1
端子数量 18 20 - 18 20 20
字数 1048576 words 1048576 words - 1048576 words 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000 - 1000000 1000000 1000000
最高工作温度 70 °C 70 °C - 70 °C 70 °C 70 °C
组织 1MX1 1MX1 - 1MX1 1MX1 1MX1
输出特性 3-STATE 3-STATE - 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP ZIP - DIP ZIP SOJ
封装等效代码 DIP18,.3 ZIP20,.1 - DIP18,.3 ZIP20,.1 SOJ20/26,.34
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE - IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE
电源 5 V 5 V - 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 512 512 - 512 512 512
最大待机电流 0.001 A 0.001 A - 0.001 A 0.001 A 0.001 A
最大压摆率 0.06 mA 0.09 mA - 0.09 mA 0.06 mA 0.06 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V - 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO - NO NO YES
技术 CMOS CMOS - CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL - COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE J BEND
端子节距 2.54 mm 1.27 mm - 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL ZIG-ZAG - DUAL ZIG-ZAG DUAL
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