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MSM5116400A-80SJ

描述:
Fast Page DRAM, 4MX4, 80ns, CMOS, PDSO24
分类:
存储    存储   
文件大小:
366KB,共8页
制造商:
概述
Fast Page DRAM, 4MX4, 80ns, CMOS, PDSO24
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
LAPIS Semiconductor Co Ltd
包装说明
SOJ, SOJ24/26,.34
Reach Compliance Code
unknown
最长访问时间
80 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PDSO-J24
JESD-609代码
e0
内存密度
16777216 bit
内存集成电路类型
FAST PAGE DRAM
内存宽度
4
端子数量
24
字数
4194304 words
字数代码
4000000
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
4MX4
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
SOJ
封装等效代码
SOJ24/26,.34
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
4096
自我刷新
NO
最大待机电流
0.001 A
最大压摆率
0.08 mA
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
J BEND
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
文档预览
参数对比
与MSM5116400A-80SJ相近的元器件有:MSM5116400A-60TS-K、MSM5116400A-60SJ、MSM5116400A-80TS-K、MSM5116400A-70TS-K。描述及对比如下:
型号 MSM5116400A-80SJ MSM5116400A-60TS-K MSM5116400A-60SJ MSM5116400A-80TS-K MSM5116400A-70TS-K
描述 Fast Page DRAM, 4MX4, 80ns, CMOS, PDSO24 Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24 Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24 Fast Page DRAM, 4MX4, 80ns, CMOS, PDSO24 Fast Page DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd
包装说明 SOJ, SOJ24/26,.34 TSOP, TSOP24/26,.36 SOJ, SOJ24/26,.34 TSOP, TSOP24/26,.36 TSOP, TSOP24/26,.36
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
最长访问时间 80 ns 60 ns 60 ns 80 ns 70 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-J24 R-PDSO-G24 R-PDSO-J24 R-PDSO-G24 R-PDSO-G24
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM
内存宽度 4 4 4 4 4
端子数量 24 24 24 24 24
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 4MX4 4MX4 4MX4 4MX4 4MX4
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ TSOP SOJ TSOP TSOP
封装等效代码 SOJ24/26,.34 TSOP24/26,.36 SOJ24/26,.34 TSOP24/26,.36 TSOP24/26,.36
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 4096 4096 4096 4096
自我刷新 NO NO NO NO NO
最大待机电流 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A
最大压摆率 0.08 mA 0.1 mA 0.1 mA 0.08 mA 0.09 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J BEND GULL WING J BEND GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
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器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
索引文件:
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