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MSM511664-80JS

描述:
Fast Page DRAM, 64KX16, 80ns, CMOS, PDSO40
分类:
存储    存储   
文件大小:
1MB,共29页
制造商:
概述
Fast Page DRAM, 64KX16, 80ns, CMOS, PDSO40
器件参数
参数名称
属性值
字数代码
64000
输出特性
3-STATE
自我刷新
NO
最大待机电流
0.001 A
最大压摆率
0.115 mA
技术
CMOS
字数
65536 words
内存集成电路类型
FAST PAGE DRAM
温度等级
COMMERCIAL
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PDSO-J40
JESD-609代码
e0
认证状态
Not Qualified
封装形式
SMALL OUTLINE
端子位置
DUAL
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
SOJ
封装等效代码
SOJ40,.44
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
J BEND
端子节距
1.27 mm
端子数量
40
封装形状
RECTANGULAR
表面贴装
YES
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
是否Rohs认证
No
Is Samacsys
N
YTEOL
0
Objectid
101053999
包装说明
SOJ, SOJ40,.44
Reach Compliance Code
Unknown
ECCN代码
EAR99
内存宽度
16
组织
64KX16
刷新周期
256
标称供电电压 (Vsup)
5 V
最长访问时间
80 ns
内存密度
1048576 bit
文档预览
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器件捷径:
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ
索引文件:
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