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MSM5117405C-50SJ

描述：
EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-26/24
分类：
存储    存储   
文件大小：
728KB，共19页
制造商：
LAPIS Semiconductor Co Ltd
概述
EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-26/24
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
LAPIS Semiconductor Co Ltd
零件包装代码
SOJ
包装说明
SOJ, SOJ24/26,.34
针数
24
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
访问模式
FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间
50 ns
其他特性
RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PDSO-J24
JESD-609代码
e0
长度
17.15 mm
内存密度
16777216 bit
内存集成电路类型
EDO DRAM
内存宽度
4
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
24
字数
4194304 words
字数代码
4000000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
4MX4
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
SOJ
封装等效代码
SOJ24/26,.34
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
2048
座面最大高度
3.55 mm
自我刷新
NO
最大待机电流
0.001 A
最大压摆率
0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
J BEND
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
7.62 mm
文档预览
Dear customers,
About the change in the name such as "Oki Electric Industry Co. Ltd." and
"OKI" in documents to OKI Semiconductor Co., Ltd.
The semiconductor business of Oki Electric Industry Co., Ltd. was succeeded to OKI
Semiconductor Co., Ltd. on October 1, 2008.
Therefore, please accept that although
the terms and marks of "Oki Electric Industry Co., Ltd.", “Oki Electric”, and "OKI"
remain in the documents, they all have been changed to "OKI Semiconductor Co., Ltd.".
It is a change of the company name, the company trademark, and the logo, etc. , and
NOT a content change in documents.
October 1, 2008
OKI Semiconductor Co., Ltd.
550-1 Higashiasakawa-cho, Hachioji-shi, Tokyo 193-8550, Japan
http://www.okisemi.com/en/
E2G0109-18-42
¡ Semiconductor
MSM5117405C
¡ Semiconductor
This version: Apr. 1998
MSM5117405C
Pr
el
im
in
ar
y
4,194,304-Word
¥
4-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE WITH EDO
DESCRIPTION
The MSM5117405C is a 4,194,304-word
¥
4-bit dynamic RAM fabricated in Oki's silicon-gate CMOS
technology. The MSM5117405C achieves high integration, high-speed operation, and low-power
consumption because Oki manufactures the device in a quadruple-layer polysilicon/double-layer
metal CMOS process. The MSM5117405C is available in a 26/24-pin plastic SOJ or 26/24-pin plastic
TSOP.
FEATURES
• 4,194,304-word
¥
4-bit configuration
• Single 5 V power supply,
±10%
tolerance
• Input
: TTL compatible, low input capacitance
• Output : TTL compatible, 3-state
• Refresh : 2048 cycles/32 ms
• Fast page mode with EDO, read modify write capability
•
CAS
before
RAS
refresh, hidden refresh,
RAS-only
refresh capability
• Multi-bit test mode capability
• Package options:
26/24-pin 300 mil plastic SOJ (SOJ26/24-P-300-1.27) (Product : MSM5117405C-xxSJ)
26/24-pin 300 mil plastic TSOP (TSOPII26/24-P-300-1.27-K) (Product : MSM5117405C-xxTS-K)
(TSOPII26/24-P-300-1.27-L) (Product : MSM5117405C-xxTS-L)
xx indicates speed rank.
PRODUCT FAMILY
Family
MSM5117405C-50
MSM5117405C-60
MSM5117405C-70
Access Time (Max.)
t
RAC
t
AA
t
CAC
t
OEA
50 ns 25 ns 13 ns 13 ns
60 ns 30 ns 15 ns 15 ns
70 ns 35 ns 20 ns 20 ns
Cycle Time
Power Dissipation
(Min.)
Operating (Max.) Standby (Max.)
90 ns
110 ns
130 ns
660 mW
605 mW
550 mW
5.5 mW
1/18
,
¡ Semiconductor
MSM5117405C
PIN CONFIGURATION (TOP VIEW)
V
CC
1
26 V
SS
V
CC
1
26 V
SS
V
SS
26
1 V
CC
DQ1 2
25 DQ4
23
CAS
22
OE
DQ1 2
DQ2 3
WE
4
25 DQ4
DQ4 25
CAS
23
OE
22
A9 21
A8 19
2 DQ1
DQ2 3
24 DQ3
24 DQ3
23
CAS
22
OE
21 A9
19 A8
DQ3 24
3 DQ2
4
WE
6 NC
5
RAS
WE
4
NC 6
RAS
5
RAS
5
21 A9
NC 6
A10 8
19 A8
A10 8
A0 9
8 A10
A0 9
18 A7
17 A6
16 A5
15 A4
18 A7
17 A6
16 A5
15 A4
A7 18
A6 17
A5 16
A4 15
9 A0
A1 10
A2 11
A3 12
A1 10
A2 11
A3 12
10 A1
11 A2
12 A3
V
CC
13
14 V
SS
V
CC
13
14 V
SS
V
SS
14
13 V
CC
26/24-Pin Plastic SOJ
26/24-Pin Plastic TSOP
(K Type)
26/24-Pin Plastic TSOP
(L Type)
Pin Name
A0 - A10
RAS
CAS
DQ1 - DQ4
OE
WE
V
CC
V
SS
NC
Function
Address Input
Row Address Strobe
Column Address Strobe
Data Input/Data Output
Output Enable
Write Enable
Power Supply (5 V)
Ground (0 V)
No Connection
Note :
The same power supply voltage must be provided to every V
CC
pin, and the same GND
voltage level must be provided to every V
SS
pin.
2/18
¡ Semiconductor
MSM5117405C
BLOCK DIAGRAM
Timing
Generator
Timing
Generator
RAS
CAS
11
Column
Address
Buffers
Internal
Address
Counter
11
Column
Decoders
Write
Clock
Generator
WE
OE
4
Output
Buffers
4
4
A0 - A10
Refresh
Control Clock
Sense
Amplifiers
4
I/O
Selector
4
4
DQ1 - DQ4
Input
Buffers
4
11
Row
Address
Buffers
11
Row
De-
coders
Word
Drivers
Memory
Cells
V
CC
On Chip
V
BB
Generator
On Chip
IV
CC
Generator
V
SS
3/18
¡ Semiconductor
MSM5117405C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Voltage on Any Pin Relative to V
SS
Voltage on V
CC
Supply Relative to V
SS
Short Circuit Output Current
Power Dissipation
Operating Temperature
Storage Temperature
Symbol
V
IN
, V
OUT
V
CC
I
OS
P
D
*
T
opr
T
stg
Rating
–0.5 to V
CC
+ 0.5
–0.5 to 7
50
1
0 to 70
–55 to 150
Unit
V
V
mA
W
°C
°C
*: Ta = 25°C
Recommended Operating Conditions
(Ta = 0°C to 70°C)
Parameter
Power Supply Voltage
Input High Voltage
Input Low Voltage
Symbol
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
Min.
4.5
0
2.4
–0.5
*2
Typ.
5.0
0
—
—
Max.
5.5
0
V
CC
+ 0.5
*1
0.8
Unit
V
V
V
V
Notes : *1. The input voltage is V
CC
+ 2.0 V when the pulse width is less than 20 ns (the pulse width
is with respect to the point at which V
CC
is applied).
*2. The input voltage is V
SS
– 2.0 V when the pulse width is less than 20 ns (the pulse width
is with respect to the point at which V
SS
is applied).
Capacitance
(V
CC
= 5 V ±10%, Ta = 25°C, f = 1 MHz)
Parameter
Input Capacitance (A0 - A10)
Input Capacitance (RAS,
CAS, WE, OE)
Output Capacitance (DQ1 - DQ4)
Symbol
C
IN1
C
IN2
C
I/O
Typ.
—
—
—
Max.
5
7
7
Unit
pF
pF
pF
4/18
查看更多>
参数对比
与MSM5117405C-50SJ相近的元器件有：MSM5117405C-60TS-K、MSM5117405C-60TS-L、MSM5117405C-50TS-L、MSM5117405C-50TS-K、MSM5117405C-70SJ、MSM5117405C-70TS-L、MSM5117405C-70TS-K。描述及对比如下：
型号 MSM5117405C-50SJ MSM5117405C-60TS-K MSM5117405C-60TS-L MSM5117405C-50TS-L MSM5117405C-50TS-K MSM5117405C-70SJ MSM5117405C-70TS-L MSM5117405C-70TS-K
描述 EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-26/24 EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-26/24 EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-26/24 EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-26/24 EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-26/24 EDO DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-26/24 EDO DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-26/24 EDO DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-26/24
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 SOJ TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 SOJ TSOP2 TSOP2
包装说明 SOJ, SOJ24/26,.34 TSOP2, TSOP24/26,.36 TSOP2, TSOP24/26,.36 TSOP2, TSOP24/26,.36 TSOP2, TSOP24/26,.36 SOJ, SOJ24/26,.34 TSOP2, TSOP24/26,.36 TSOP2, TSOP24/26,.36
针数 24 26 26 26 26 24 26 26
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间 50 ns 60 ns 60 ns 50 ns 50 ns 70 ns 70 ns 70 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-J24 R-PDSO-G24 R-PDSO-G24 R-PDSO-G24 R-PDSO-G24 R-PDSO-J24 R-PDSO-G24 R-PDSO-G24
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 17.15 mm 17.14 mm 17.14 mm 17.14 mm 17.14 mm 17.15 mm 17.14 mm 17.14 mm
内存密度 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bi
内存集成电路类型 EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM
内存宽度 4 4 4 4 4 4 4 4
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 24 24 24 24 24 24 24 24
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 4MX4 4MX4 4MX4 4MX4 4MX4 4MX4 4MX4 4MX4
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 SOJ TSOP2 TSOP2
封装等效代码 SOJ24/26,.34 TSOP24/26,.36 TSOP24/26,.36 TSOP24/26,.36 TSOP24/26,.36 SOJ24/26,.34 TSOP24/26,.36 TSOP24/26,.36
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 2048 2048 2048 2048 2048 2048 2048 2048
座面最大高度 3.55 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 3.55 mm 1.2 mm 1.2 mm
自我刷新 NO NO NO NO NO NO NO NO
最大待机电流 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A
最大压摆率 0.12 mA 0.11 mA 0.11 mA 0.12 mA 0.12 mA 0.1 mA 0.1 mA 0.1 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J BEND GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING J BEND GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm
厂商名称 LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd - LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd
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器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
索引文件:
1057  910  41  2141  2005  22  19  1  44  41 
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