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MSM512200-80TS-K

描述:
Fast Page DRAM, 1MX2, 80ns, CMOS, PDSO20,
分类:
存储    存储   
文件大小:
429KB,共9页
制造商:
概述
Fast Page DRAM, 1MX2, 80ns, CMOS, PDSO20,
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
LAPIS Semiconductor Co Ltd
包装说明
TSOP, TSOP20/26,.36
Reach Compliance Code
unknown
最长访问时间
80 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PDSO-G20
JESD-609代码
e0
内存密度
2097152 bit
内存集成电路类型
FAST PAGE DRAM
内存宽度
2
端子数量
20
字数
1048576 words
字数代码
1000000
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
1MX2
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TSOP
封装等效代码
TSOP20/26,.36
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
1024
最大待机电流
0.001 A
最大压摆率
0.06 mA
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
GULL WING
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
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