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MSM512805A-60JS

描述:
EDO DRAM, 256KX8, 60ns, CMOS, PDSO24
分类:
存储    存储   
文件大小:
358KB,共8页
制造商:
概述
EDO DRAM, 256KX8, 60ns, CMOS, PDSO24
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
LAPIS Semiconductor Co Ltd
包装说明
SOJ, SOJ24/26,.34
Reach Compliance Code
unknow
最长访问时间
60 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PDSO-J24
JESD-609代码
e0
内存密度
2097152 bi
内存集成电路类型
EDO DRAM
内存宽度
8
端子数量
24
字数
262144 words
字数代码
256000
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
256KX8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
SOJ
封装等效代码
SOJ24/26,.34
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
512
最大待机电流
0.001 A
最大压摆率
0.1 mA
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
J BEND
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
文档预览
参数对比
与MSM512805A-60JS相近的元器件有:MSM512805A-45JS。描述及对比如下:
型号 MSM512805A-60JS MSM512805A-45JS
描述 EDO DRAM, 256KX8, 60ns, CMOS, PDSO24 EDO DRAM, 256KX8, 45ns, CMOS, PDSO24
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd
包装说明 SOJ, SOJ24/26,.34 SOJ, SOJ24/26,.34
Reach Compliance Code unknow unknow
最长访问时间 60 ns 45 ns
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-J24 R-PDSO-J24
JESD-609代码 e0 e0
内存密度 2097152 bi 2097152 bi
内存集成电路类型 EDO DRAM EDO DRAM
内存宽度 8 8
端子数量 24 24
字数 262144 words 262144 words
字数代码 256000 256000
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 256KX8 256KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ SOJ
封装等效代码 SOJ24/26,.34 SOJ24/26,.34
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
电源 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
刷新周期 512 512
最大待机电流 0.001 A 0.001 A
最大压摆率 0.1 mA 0.13 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J BEND J BEND
端子节距 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
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