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MSM514100BL-80J

描述：

Fast Page DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PDSO20

文件大小：

735KB，共15页

制造商：

LAPIS Semiconductor Co Ltd

概述

Fast Page DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PDSO20

器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

不符合

Objectid

1156939758

包装说明

SOJ, SOJ20/26,.4

Reach Compliance Code

unknown

ECCN代码

EAR99

最长访问时间

80 ns

I/O 类型

SEPARATE

JESD-30 代码

R-PDSO-J20

JESD-609代码

内存密度

4194304 bit

内存集成电路类型

FAST PAGE DRAM

内存宽度

端子数量

字数

4194304 words

字数代码

4000000

最高工作温度

70 °C

最低工作温度

组织

4MX1

输出特性

3-STATE

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装代码

SOJ

封装等效代码

SOJ20/26,.4

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

SMALL OUTLINE

认证状态

Not Qualified

刷新周期

1024

自我刷新

最大待机电流

0.0002 A

最大压摆率

0.08 mA

标称供电电压 (Vsup)

5 V

表面贴装

YES

技术

CMOS

温度等级

COMMERCIAL

端子面层

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子形式

J BEND

端子节距

1.27 mm

端子位置

DUAL

文档预览

热门器件

采用LM3886的高性能立体声音频放大器 25瓦特MOSFET音频放大器 30W AB类放大器小型调幅发射机远程调频发射器电路 250mW FM VHF发射机手机FM发射器 BH1417 锁相环FM发射器 LED脉冲驱动器带低音增强功能的10W音频放大器

器件捷径:

00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

索引文件:

1334 735 1499 275 1934 27 15 31 6 39

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