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MSM514100CL-80SJ

描述：

Fast Page DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PDSO20

分类：

存储存储

文件大小：

735KB，共15页

制造商：

LAPIS Semiconductor Co Ltd

概述

Fast Page DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PDSO20

器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

不符合

厂商名称

LAPIS Semiconductor Co Ltd

包装说明

SOJ, SOJ20/26,.34

Reach Compliance Code

unknown

最长访问时间

80 ns

I/O 类型

SEPARATE

JESD-30 代码

R-PDSO-J20

JESD-609代码

内存密度

4194304 bit

内存集成电路类型

FAST PAGE DRAM

内存宽度

端子数量

字数

4194304 words

字数代码

4000000

最高工作温度

70 °C

最低工作温度

组织

4MX1

输出特性

3-STATE

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装代码

SOJ

封装等效代码

SOJ20/26,.34

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

SMALL OUTLINE

电源

5 V

认证状态

Not Qualified

刷新周期

1024

自我刷新

最大待机电流

0.0002 A

最大压摆率

0.08 mA

标称供电电压 (Vsup)

5 V

表面贴装

YES

技术

CMOS

温度等级

COMMERCIAL

端子面层

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子形式

J BEND

端子节距

1.27 mm

端子位置

DUAL

文档预览

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