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MSM514101-8AZS

描述:
Nibble Mode DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PZIP20
文件大小:
727KB,共15页
制造商:
概述
Nibble Mode DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PZIP20
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
Objectid
101067136
包装说明
ZIP, ZIP20,.1
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
YTEOL
0
最长访问时间
80 ns
I/O 类型
SEPARATE
JESD-30 代码
R-PZIP-T20
JESD-609代码
e0
内存密度
4194304 bit
内存集成电路类型
NIBBLE MODE DRAM
内存宽度
1
端子数量
20
字数
4194304 words
字数代码
4000000
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
4MX1
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
ZIP
封装等效代码
ZIP20,.1
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
认证状态
Not Qualified
刷新周期
1024
最大待机电流
0.001 A
最大压摆率
0.09 mA
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
1.27 mm
端子位置
ZIG-ZAG
文档预览
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索引文件:
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