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MSM514101A-80SJ

描述:
Nibble Mode DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PDSO20
分类:
存储    存储   
文件大小:
727KB,共15页
制造商:
概述
Nibble Mode DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PDSO20
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
LAPIS Semiconductor Co Ltd
包装说明
SOJ, SOJ20/26,.34
Reach Compliance Code
unknown
最长访问时间
80 ns
I/O 类型
SEPARATE
JESD-30 代码
R-PDSO-J20
JESD-609代码
e0
内存密度
4194304 bit
内存集成电路类型
NIBBLE MODE DRAM
内存宽度
1
端子数量
20
字数
4194304 words
字数代码
4000000
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
4MX1
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
SOJ
封装等效代码
SOJ20/26,.34
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
1024
最大待机电流
0.001 A
最大压摆率
0.08 mA
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
J BEND
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
文档预览
参数对比
与MSM514101A-80SJ相近的元器件有:MSM514101AL-10SJ、MSM514101A-70SJ、MSM514101AL-80ZS、MSM514101AL-70SJ、MSM514101BL-60ZS。描述及对比如下:
型号 MSM514101A-80SJ MSM514101AL-10SJ MSM514101A-70SJ MSM514101AL-80ZS MSM514101AL-70SJ MSM514101BL-60ZS
描述 Nibble Mode DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PDSO20 Nibble Mode DRAM, 4MX1, 100ns, CMOS, PDSO20 Nibble Mode DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PDSO20 Nibble Mode DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PZIP20 Nibble Mode DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PDSO20 Nibble Mode DRAM, 4MX1, 60ns, CMOS, PZIP20
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 SOJ, SOJ20/26,.34 SOJ, SOJ20/26,.34 SOJ, SOJ20/26,.34 ZIP, ZIP20,.1 SOJ, SOJ20/26,.34 ZIP, ZIP20,.1
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknow
最长访问时间 80 ns 100 ns 70 ns 80 ns 70 ns 60 ns
I/O 类型 SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE
JESD-30 代码 R-PDSO-J20 R-PDSO-J20 R-PDSO-J20 R-PZIP-T20 R-PDSO-J20 R-PZIP-T20
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bi
内存集成电路类型 NIBBLE MODE DRAM NIBBLE MODE DRAM NIBBLE MODE DRAM NIBBLE MODE DRAM NIBBLE MODE DRAM NIBBLE MODE DRAM
内存宽度 1 1 1 1 1 1
端子数量 20 20 20 20 20 20
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 4MX1 4MX1 4MX1 4MX1 4MX1 4MX1
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ SOJ SOJ ZIP SOJ ZIP
封装等效代码 SOJ20/26,.34 SOJ20/26,.34 SOJ20/26,.34 ZIP20,.1 SOJ20/26,.34 ZIP20,.1
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE IN-LINE
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 1024 1024 1024 1024 1024 1024
最大待机电流 0.001 A 0.0002 A 0.001 A 0.0002 A 0.0002 A 0.0002 A
最大压摆率 0.08 mA 0.07 mA 0.09 mA 0.08 mA 0.09 mA 0.1 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES NO YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J BEND J BEND J BEND THROUGH-HOLE J BEND THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL ZIG-ZAG DUAL ZIG-ZAG
厂商名称 LAPIS Semiconductor Co Ltd - LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd
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器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
索引文件:
2205  2891  2427  1506  952  45  59  49  31  20 
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