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MSM514101B-10TS-L

描述：

Nibble Mode DRAM, 4MX1, 100ns, CMOS, PDSO20

分类：

存储存储

文件大小：

727KB，共15页

制造商：

LAPIS Semiconductor Co Ltd

概述

Nibble Mode DRAM, 4MX1, 100ns, CMOS, PDSO20

器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

不符合

Objectid

1156939765

包装说明

TSSOP, TSSOP20/26,.36

Reach Compliance Code

unknown

ECCN代码

EAR99

最长访问时间

100 ns

I/O 类型

SEPARATE

JESD-30 代码

R-PDSO-G20

JESD-609代码

内存密度

4194304 bit

内存集成电路类型

NIBBLE MODE DRAM

内存宽度

端子数量

字数

4194304 words

字数代码

4000000

最高工作温度

70 °C

最低工作温度

组织

4MX1

输出特性

3-STATE

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装代码

TSSOP

封装等效代码

TSSOP20/26,.36

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH

认证状态

Not Qualified

刷新周期

1024

反向引出线

YES

最大待机电流

0.001 A

最大压摆率

0.07 mA

标称供电电压 (Vsup)

5 V

表面贴装

YES

技术

CMOS

温度等级

COMMERCIAL

端子面层

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子形式

GULL WING

端子节距

0.635 mm

端子位置

DUAL

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索引文件:

2506 2627 2533 458 2416 51 53 10 49 22

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