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MSM514101BL-60TS-K

描述：
Nibble Mode DRAM, 4MX1, 60ns, CMOS, PDSO20
分类：
存储    存储   
文件大小：
727KB，共15页
制造商：
LAPIS Semiconductor Co Ltd
概述
Nibble Mode DRAM, 4MX1, 60ns, CMOS, PDSO20
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
Objectid
1156939784
包装说明
TSSOP, TSSOP20/26,.36
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
最长访问时间
60 ns
I/O 类型
SEPARATE
JESD-30 代码
R-PDSO-G20
JESD-609代码
e0
内存密度
4194304 bit
内存集成电路类型
NIBBLE MODE DRAM
内存宽度
1
端子数量
20
字数
4194304 words
字数代码
4000000
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
4MX1
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TSSOP
封装等效代码
TSSOP20/26,.36
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
认证状态
Not Qualified
刷新周期
1024
最大待机电流
0.0002 A
最大压摆率
0.1 mA
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
GULL WING
端子节距
0.635 mm
端子位置
DUAL
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