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MSM514102-8ZS

描述：

Static Column DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PZIP20

文件大小：

736KB，共14页

制造商：

LAPIS Semiconductor Co Ltd

概述

Static Column DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PZIP20

器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

不符合

Objectid

101064815

包装说明

ZIP, ZIP20,.1

Reach Compliance Code

unknown

ECCN代码

3A991.B.2.A

最长访问时间

80 ns

I/O 类型

SEPARATE

JESD-30 代码

R-PZIP-T20

JESD-609代码

内存密度

4194304 bit

内存集成电路类型

STATIC COLUMN DRAM

内存宽度

端子数量

字数

4194304 words

字数代码

4000000

最高工作温度

70 °C

最低工作温度

组织

4MX1

输出特性

3-STATE

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装代码

ZIP

封装等效代码

ZIP20,.1

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

IN-LINE

认证状态

Not Qualified

刷新周期

1024

最大待机电流

0.001 A

最大压摆率

0.09 mA

标称供电电压 (Vsup)

5 V

表面贴装

技术

CMOS

温度等级

COMMERCIAL

端子面层

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子形式

THROUGH-HOLE

端子节距

1.27 mm

端子位置

ZIG-ZAG

热门器件

器件捷径:

E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

索引文件:

2506 2627 2533 458 2416 51 53 10 49 22

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