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MSM514400-70RS

描述:
Fast Page DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDIP20
分类:
存储    存储   
文件大小:
771KB,共14页
制造商:
概述
Fast Page DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDIP20
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
No
包装说明
DIP, DIP20,.4
Reach Compliance Code
Unknown
ECCN代码
EAR99
Is Samacsys
N
YTEOL
0
Objectid
101044365
标称供电电压 (Vsup)
5 V
最长访问时间
70 ns
内存密度
4194304 bit
内存宽度
4
组织
1MX4
刷新周期
1024
内存集成电路类型
FAST PAGE DRAM
字数代码
1000000
最大压摆率
0.1 mA
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
I/O 类型
COMMON
字数
1048576 words
输出特性
3-STATE
自我刷新
NO
最大待机电流
0.001 A
JESD-30 代码
R-PDIP-T20
JESD-609代码
e0
认证状态
Not Qualified
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装等效代码
DIP20,.4
封装形状
RECTANGULAR
端子形式
THROUGH-HOLE
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子数量
20
封装代码
DIP
封装形式
IN-LINE
表面贴装
NO
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
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索引文件:
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