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MSM514400-70ZS

描述：
Fast Page DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PZIP20
分类：
存储    存储   
文件大小：
771KB，共14页
制造商：
LAPIS Semiconductor Co Ltd
概述
Fast Page DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PZIP20
器件参数
参数名称
属性值
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
封装等效代码
ZIP20,.1
表面贴装
NO
封装代码
ZIP
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
端子节距
1.27 mm
端子位置
ZIG-ZAG
端子数量
20
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
是否Rohs认证
No
YTEOL
0
Objectid
101045893
包装说明
ZIP, ZIP20,.1
Reach Compliance Code
Unknown
ECCN代码
EAR99
Is Samacsys
N
最长访问时间
70 ns
内存密度
4194304 bit
内存宽度
4
组织
1MX4
刷新周期
1024
标称供电电压 (Vsup)
5 V
自我刷新
NO
工作模式
ASYNCHRONOUS
最大待机电流
0.001 A
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
字数代码
1000000
端口数量
1
字数
1048576 words
最大压摆率
0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
技术
CMOS
功能数量
1
内存集成电路类型
FAST PAGE DRAM
输出特性
3-STATE
温度等级
COMMERCIAL
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PZIP-T20
JESD-609代码
e0
认证状态
Not Qualified
长度
25.5 mm
座面最大高度
10.16 mm
宽度
2.8 mm
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器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
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