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MSM514800CSL-80TS-K

描述：
Fast Page DRAM, 512KX8, 80ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-28
分类：
存储    存储   
文件大小：
293KB，共17页
制造商：
LAPIS Semiconductor Co Ltd
概述
Fast Page DRAM, 512KX8, 80ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-28
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
LAPIS Semiconductor Co Ltd
零件包装代码
TSOP
包装说明
TSOP2, TSOP28,.46
针数
28
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
访问模式
FAST PAGE
最长访问时间
80 ns
其他特性
RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PDSO-G28
JESD-609代码
e0
长度
18.41 mm
内存密度
4194304 bit
内存集成电路类型
FAST PAGE DRAM
内存宽度
8
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
28
字数
524288 words
字数代码
512000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
512KX8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TSOP2
封装等效代码
TSOP28,.46
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
1024
座面最大高度
1.2 mm
自我刷新
YES
最大待机电流
0.0002 A
最大压摆率
0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
GULL WING
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
宽度
10.16 mm
文档预览
Dear customers,
About the change in the name such as "Oki Electric Industry Co. Ltd." and
"OKI" in documents to OKI Semiconductor Co., Ltd.
The semiconductor business of Oki Electric Industry Co., Ltd. was succeeded to OKI
Semiconductor Co., Ltd. on October 1, 2008.
Therefore, please accept that although
the terms and marks of "Oki Electric Industry Co., Ltd.", “Oki Electric”, and "OKI"
remain in the documents, they all have been changed to "OKI Semiconductor Co., Ltd.".
It is a change of the company name, the company trademark, and the logo, etc. , and
NOT a content change in documents.
October 1, 2008
OKI Semiconductor Co., Ltd.
550-1 Higashiasakawa-cho, Hachioji-shi, Tokyo 193-8550, Japan
http://www.okisemi.com/en/
E2G0024-17-42
¡ Semiconductor
¡ Semiconductor
MSM514800CSL
This
MSM514800C/CSL
version: Jan. 1998
Previous version: May 1997
524,288-Word
¥
8-Bit DYNAMIC RAM: FAST PAGE MODE TYPE
DESCRIPTION
Please ignore data of MSM518400C (not available)
The MSM514800CSL is a 524,288-word
¥
8-bit dynamic RAM fabricated in Oki's silicon-gate
CMOS technology. The MSM514800CSL achieves high integration, high-speed operation, and
low-power consumption because Oki manufactures the device in a quadruple-layer polysilicon/
single-layer metal CMOS process. The MSM514800CSL is available in a 28-pin plastic SOJ or 28-
pin plastic TSOP. The self-refresh version) is specially designed for lower-
power applications.
FEATURES
• 524,288-word
¥
8-bit configuration
• Single 5 V power supply,
±10%
tolerance
• Input
: TTL compatible, low input capacitance
• Output : TTL compatible, 3-state
• Refresh : 1024 cycles/128 ms
• Fast page mode, read modify write capability
•
CAS
before
RAS
refresh, hidden refresh,
RAS-only
refresh capability
•
CAS
before
RAS
self-refresh capability
• Package options:
28-pin 400 mil plastic SOJ
(SOJ28-P-400-1.27)
(Product : MSM514800CSL-xxJS)
28-pin 400 mil plastic TSOP
(TSOPII28-P-400-1.27-K)
(Product : MSM514800CSL-xxTS-K)
xx indicates speed rank.
PRODUCT FAMILY
Family
MSM514800CSL-60
MSM514800CSL-70
MSM514800CSL-80
Access Time (Max.)
t
RAC
t
AA
t
CAC
t
OEA
60 ns 30 ns 20 ns 20 ns
70 ns 35 ns 20 ns 20 ns
80 ns 40 ns 20 ns 20 ns
Power Dissipation
Cycle Time
(Min.)
Operating (Max.) Standby (Max.)
110 ns
130 ns
150 ns
660 mW
605 mW
550 mW
1.1 mW
1/16
 
 
¡ Semiconductor
MSM514800C/CSL
PIN CONFIGURATION (TOP VIEW)
V
CC
1
28 V
SS
V
CC
1
28 V
SS
27 DQ8
26 DQ7
25 DQ6
24 DQ5
23
CAS
22
OE
21 NC
20 A8
19 A7
18 A6
17 A5
16 A4
15 V
SS
DQ1 2
27 DQ8
DQ1 2
DQ2 3
DQ3 4
DQ4 5
DQ2 3
DQ3 4
DQ4 5
NC 6
26 DQ7
25 DQ6
24 DQ5
23
CAS
22
OE
21 NC
NC 6
WE
7
WE
7
RAS
8
A9R 9
RAS
8
A9R 9
20 A8
19 A7
18 A6
17 A5
16 A4
A0 10
A1 11
A2 12
A3 13
A0 10
A1 11
A2 12
A3 13
V
CC
14
28-Pin Plastic SOJ
15 V
SS
V
CC
14
28-Pin Plastic TSOP
(K Type)
Pin Name
A0 - A8, A9R
RAS
CAS
DQ1 - DQ8
OE
WE
V
CC
V
SS
NC
Function
Address Input
Row Address Strobe
Column Address Strobe
Data Input / Data Output
Output Enable
Write Enable
Power Supply (5 V)
Ground (0 V)
No Connection
Note: The same power supply voltage must be provided to every V
CC
pin, and the same GND
voltage level must be provided to every V
SS
pin.
2/16
¡ Semiconductor
MSM514800C/CSL
BLOCK DIAGRAM
RAS
CAS
Timing
Generator
Timing
Generator
9
Column
Address
Buffers
Internal
Address
Counter
9
Column
Decoders
Write
Clock
Generator
WE
OE
8
Output
Buffers
8
8
A0 - A8
Refresh
Control Clock
Sense
Amplifiers
8
I/O
Selector
8
8
DQ1 - DQ8
Input
Buffers
8
9
A9R
V
CC
1
Row
Address
Buffers
10
Row
De-
coders
Word
Drivers
Memory
Cells
On Chip
V
BB
Generator
V
SS
3/16
¡ Semiconductor
MSM514800C/CSL
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Voltage on Any Pin Relative to V
SS
Short Circuit Output Current
Power Dissipation
Operating Temperature
Storage Temperature
Symbol
V
T
I
OS
P
D
*
T
opr
T
stg
Rating
–1.0 to 7.0
50
1
0 to 70
–55 to 150
Unit
V
mA
W
°C
°C
*: Ta = 25°C
Recommended Operating Conditions
Parameter
Power Supply Voltage
Input High Voltage
Input Low Voltage
Symbol
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
Min.
4.5
0
2.4
–1.0
Typ.
5.0
0
—
—
Max.
5.5
0
6.5
0.8
(Ta = 0°C to 70°C)
Unit
V
V
V
V
Capacitance
Parameter
Input Capacitance (A0 - A8, A9R)
Input Capacitance
(RAS,
CAS, WE, OE)
Output Capacitance (DQ1 - DQ8)
Symbol
C
IN1
C
IN2
C
I/O
Typ.
—
—
—
(V
CC
= 5 V ±10%, Ta = 25°C, f = 1 MHz)
Max.
7
7
8
Unit
pF
pF
pF
4/16
查看更多>
参数对比
与MSM514800CSL-80TS-K相近的元器件有：MSM514800CSL-60JS、MSM514800CSL-70JS、MSM514800CSL-70TS-K、MSM514800CSL-60TS-K、MSM514800CSL-80JS。描述及对比如下：
型号 MSM514800CSL-80TS-K MSM514800CSL-60JS MSM514800CSL-70JS MSM514800CSL-70TS-K MSM514800CSL-60TS-K MSM514800CSL-80JS
描述 Fast Page DRAM, 512KX8, 80ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-28 Fast Page DRAM, 512KX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-28 Fast Page DRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-28 Fast Page DRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-28 Fast Page DRAM, 512KX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-28 Fast Page DRAM, 512KX8, 80ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-28
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 TSOP SOJ SOJ TSOP TSOP SOJ
包装说明 TSOP2, TSOP28,.46 SOJ, SOJ28,.44 SOJ, SOJ28,.44 TSOP2, TSOP28,.46 TSOP2, TSOP28,.46 SOJ, SOJ28,.44
针数 28 28 28 28 28 28
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE
最长访问时间 80 ns 60 ns 70 ns 70 ns 60 ns 80 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-G28 R-PDSO-J28 R-PDSO-J28 R-PDSO-G28 R-PDSO-G28 R-PDSO-J28
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 18.41 mm 18.41 mm 18.41 mm 18.41 mm 18.41 mm 18.41 mm
内存密度 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM
内存宽度 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 28 28 28 28 28 28
字数 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words
字数代码 512000 512000 512000 512000 512000 512000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 512KX8 512KX8 512KX8 512KX8 512KX8 512KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2 SOJ SOJ TSOP2 TSOP2 SOJ
封装等效代码 TSOP28,.46 SOJ28,.44 SOJ28,.44 TSOP28,.46 TSOP28,.46 SOJ28,.44
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 1024 1024 1024 1024 1024 1024
座面最大高度 1.2 mm 3.85 mm 3.85 mm 1.2 mm 1.2 mm 3.85 mm
自我刷新 YES YES YES YES YES YES
最大待机电流 0.0002 A 0.0002 A 0.0002 A 0.0002 A 0.0002 A 0.0002 A
最大压摆率 0.1 mA 0.12 mA 0.11 mA 0.11 mA 0.12 mA 0.1 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING J BEND J BEND GULL WING GULL WING J BEND
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm
厂商名称 LAPIS Semiconductor Co Ltd - LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd
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器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
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