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MSM518129-45JS

描述:
EDO DRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, PDSO24
分类:
存储    存储   
文件大小:
366KB,共8页
制造商:
概述
EDO DRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, PDSO24
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
No
ECCN代码
EAR99
Is Samacsys
N
YTEOL
0
Objectid
101036954
包装说明
SOJ, SOJ24/26,.34
Reach Compliance Code
Unknown
最长访问时间
45 ns
内存密度
1048576 bit
内存宽度
8
组织
128KX8
刷新周期
512
标称供电电压 (Vsup)
5 V
内存集成电路类型
EDO DRAM
字数
131072 words
自我刷新
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
I/O 类型
COMMON
字数代码
128000
输出特性
3-STATE
最大待机电流
0.001 A
最大压摆率
0.13 mA
JESD-30 代码
R-PDSO-J24
JESD-609代码
e0
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
J BEND
端子节距
1.27 mm
封装代码
SOJ
封装等效代码
SOJ24/26,.34
封装形式
SMALL OUTLINE
端子位置
DUAL
端子数量
24
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
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