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MSM51V4170SL-70TS-L

描述：

Fast Page DRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO40

分类：

存储存储

制造商：

LAPIS Semiconductor Co Ltd

概述

Fast Page DRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO40

器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

不符合

Objectid

1164051483

包装说明

TSOP, TSOP40/44,.46,32

Reach Compliance Code

unknown

ECCN代码

EAR99

YTEOL

最长访问时间

70 ns

I/O 类型

COMMON

JESD-30 代码

R-PDSO-G40

JESD-609代码

内存密度

4194304 bit

内存集成电路类型

FAST PAGE DRAM

内存宽度

端子数量

字数

262144 words

字数代码

256000

最高工作温度

70 °C

最低工作温度

组织

256KX16

输出特性

3-STATE

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装代码

TSOP

封装等效代码

TSOP40/44,.46,32

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE

认证状态

Not Qualified

刷新周期

1024

反向引出线

YES

自我刷新

YES

最大待机电流

0.00005 A

最大压摆率

0.08 mA

标称供电电压 (Vsup)

3.3 V

表面贴装

YES

技术

CMOS

温度等级

COMMERCIAL

端子面层

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子形式

GULL WING

端子节距

0.8 mm

端子位置

DUAL

文档预览

热门器件

采用LM3886的高性能立体声音频放大器 25瓦特MOSFET音频放大器 30W AB类放大器小型调幅发射机远程调频发射器电路 250mW FM VHF发射机手机FM发射器 BH1417 锁相环FM发射器 LED脉冲驱动器带低音增强功能的10W音频放大器

器件捷径:

00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

索引文件:

661 1696 1550 832 1138 14 35 32 17 23

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