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MSM51V4256-70RS

描述:
Fast Page DRAM, 256KX4, 70ns, CMOS, PDIP20
分类:
存储    存储   
文件大小:
676KB,共15页
制造商:
概述
Fast Page DRAM, 256KX4, 70ns, CMOS, PDIP20
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
Objectid
101049590
包装说明
DIP, DIP20,.3
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
最长访问时间
70 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PDIP-T20
JESD-609代码
e0
内存密度
1048576 bit
内存集成电路类型
FAST PAGE DRAM
内存宽度
4
端子数量
20
字数
262144 words
字数代码
256000
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
256KX4
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP20,.3
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
电源
3.3 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
512
最大待机电流
0.0005 A
最大压摆率
0.05 mA
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
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