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MSM51V4256-80SJ

描述:
Fast Page DRAM, 256KX4, 80ns, CMOS, PDSO20
分类:
存储    存储   
文件大小:
676KB,共15页
制造商:
概述
Fast Page DRAM, 256KX4, 80ns, CMOS, PDSO20
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
Objectid
101050144
包装说明
SOJ, SOJ20/26,.34
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
最长访问时间
80 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PDSO-J20
JESD-609代码
e0
内存密度
1048576 bit
内存集成电路类型
FAST PAGE DRAM
内存宽度
4
端子数量
20
字数
262144 words
字数代码
256000
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
256KX4
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
SOJ
封装等效代码
SOJ20/26,.34
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
电源
3.3 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
512
最大待机电流
0.0005 A
最大压摆率
0.045 mA
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
J BEND
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
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