型号

型号
关键词

首页 > 器件类别 > 存储 > 存储

MSM5416128-15JS

描述：

EDO DRAM, 128KX16, 50ns, CMOS, PDSO40

分类：

存储存储

文件大小：

575KB，共11页

制造商：

LAPIS Semiconductor Co Ltd

概述

EDO DRAM, 128KX16, 50ns, CMOS, PDSO40

器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

不符合

Objectid

1164051501

包装说明

SOJ, SOJ40,.44

Reach Compliance Code

unknown

ECCN代码

EAR99

最长访问时间

50 ns

I/O 类型

COMMON

JESD-30 代码

R-PDSO-J40

JESD-609代码

内存密度

2097152 bit

内存集成电路类型

EDO DRAM

内存宽度

端子数量

字数

131072 words

字数代码

128000

最高工作温度

70 °C

最低工作温度

组织

128KX16

输出特性

3-STATE

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装代码

SOJ

封装等效代码

SOJ40,.44

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

SMALL OUTLINE

电源

5 V

认证状态

Not Qualified

刷新周期

512

标称供电电压 (Vsup)

5 V

表面贴装

YES

技术

CMOS

温度等级

COMMERCIAL

端子面层

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子形式

J BEND

端子节距

1.27 mm

端子位置

DUAL

热门器件

采用LM3886的高性能立体声音频放大器 25瓦特MOSFET音频放大器 30W AB类放大器小型调幅发射机远程调频发射器电路 250mW FM VHF发射机手机FM发射器 BH1417 锁相环FM发射器 LED脉冲驱动器带低音增强功能的10W音频放大器

器件捷径:

E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

索引文件:

1095 630 1543 1988 619 23 13 32 41 40

需要登录后才可以下载。

登录取消

下载 PDF 文件