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MSM5416256-12ZS

描述：
EDO DRAM, 256KX16, 47ns, CMOS, PZIP40
分类：
存储    存储   
文件大小：
1MB，共22页
制造商：
LAPIS Semiconductor Co Ltd
概述
EDO DRAM, 256KX16, 47ns, CMOS, PZIP40
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
LAPIS Semiconductor Co Ltd
包装说明
ZIP, ZIP40(UNSPEC)
Reach Compliance Code
unknow
最长访问时间
47 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PZIP-T40
JESD-609代码
e0
内存密度
4194304 bi
内存集成电路类型
EDO DRAM
内存宽度
16
端子数量
40
字数
262144 words
字数代码
256000
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
256KX16
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
ZIP
封装等效代码
ZIP40(UNSPEC)
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
512
自我刷新
NO
最大待机电流
0.001 A
最大压摆率
0.2 mA
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
ZIG-ZAG
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