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MSM5416256-20ZS

描述:
EDO DRAM, 256KX16, 60ns, CMOS, PZIP40
分类:
存储    存储   
文件大小:
1MB,共22页
制造商:
概述
EDO DRAM, 256KX16, 60ns, CMOS, PZIP40
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
LAPIS Semiconductor Co Ltd
包装说明
ZIP, ZIP40(UNSPEC)
Reach Compliance Code
unknow
最长访问时间
60 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PZIP-T40
JESD-609代码
e0
内存密度
4194304 bi
内存集成电路类型
EDO DRAM
内存宽度
16
端子数量
40
字数
262144 words
字数代码
256000
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
256KX16
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
ZIP
封装等效代码
ZIP40(UNSPEC)
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
512
自我刷新
NO
最大待机电流
0.001 A
最大压摆率
0.18 mA
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
ZIG-ZAG
文档预览
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器件捷径:
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