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MSM56V16161N-75

描述:
DRAM,
分类:
存储    存储   
文件大小:
2MB,共45页
制造商:
概述
DRAM,
器件参数
参数名称
属性值
Objectid
145007841437
包装说明
TSOP2,
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
Date Of Intro
2018-02-08
YTEOL
0
访问模式
DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间
5.4 ns
其他特性
AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码
R-PDSO-G50
长度
20.95 mm
内存密度
16777216 bit
内存集成电路类型
SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度
16
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
50
字数
1048576 words
字数代码
1000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
1MX16
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TSOP2
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
座面最大高度
1.2 mm
自我刷新
YES
最大供电电压 (Vsup)
3.6 V
最小供电电压 (Vsup)
3 V
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子形式
GULL WING
端子节距
0.8 mm
端子位置
DUAL
宽度
10.16 mm
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