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MT28C64416W30ABW-F705P70KBWT

Memory Circuit, Flash+SRAM, 4MX16, CMOS, PBGA77, 8 X 10 MM, LEAD FREE, FBGA-77

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Micron Technology

厂商官网:http://www.mdtic.com.tw/

器件标准:  

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
零件包装代码
BGA
包装说明
TFBGA, BGA77,8X10,32
针数
77
Reach Compliance Code
compliant
最长访问时间
70 ns
其他特性
CELLULAR RAM IS ORGANIZED AS 1M X 16
JESD-30 代码
R-PBGA-B77
JESD-609代码
e1
长度
10 mm
内存密度
67108864 bit
内存集成电路类型
MEMORY CIRCUIT
内存宽度
16
混合内存类型
FLASH+SRAM
功能数量
1
端子数量
77
字数
4194304 words
字数代码
4000000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-25 °C
组织
4MX16
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TFBGA
封装等效代码
BGA77,8X10,32
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)
260
电源
1.8,2.5/3 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
1.2 mm
最大待机电流
0.000115 A
最大供电电压 (Vsup)
1.95 V
最小供电电压 (Vsup)
1.7 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
OTHER
端子面层
TIN SILVER COPPER
端子形式
BALL
端子节距
0.8 mm
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
30
宽度
8 mm
Base Number Matches
1
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器件捷径:
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ
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