首页 > 器件类别 > 存储 > 存储

MT41J512M8RH-093:E

DDR DRAM, 512MX8, 0.18ns, CMOS, PBGA78, FBGA-78

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Micron Technology

厂商官网:http://www.mdtic.com.tw/

器件标准:

下载文档
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
Objectid
1246671476
包装说明
TFBGA, BGA78,9X13,32
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
访问模式
MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间
0.18 ns
其他特性
AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)
1066 MHz
I/O 类型
COMMON
交错的突发长度
8
JESD-30 代码
R-PBGA-B78
JESD-609代码
e1
长度
10.5 mm
内存密度
4294967296 bit
内存集成电路类型
DDR DRAM
内存宽度
8
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
78
字数
536870912 words
字数代码
512000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
组织
512MX8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TFBGA
封装等效代码
BGA78,9X13,32
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)
260
电源
1.5 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
8192
座面最大高度
1.2 mm
自我刷新
YES
连续突发长度
8
最大待机电流
0.018 A
最大压摆率
0.282 mA
最大供电电压 (Vsup)
1.575 V
最小供电电压 (Vsup)
1.425 V
标称供电电压 (Vsup)
1.5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
OTHER
端子面层
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式
BALL
端子节距
0.8 mm
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
30
宽度
9 mm
热门器件
热门资源推荐
器件捷径:
S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY
需要登录后才可以下载。
登录取消