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MT46H64M32LGCM-54AT:A

DDR DRAM, 64MX32, 5ns, CMOS, PBGA90, 10 X 13 MM, GREEN, PLASTIC, VFBGA-90

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Micron Technology

厂商官网:http://www.mdtic.com.tw/

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Micron Technology
零件包装代码
BGA
包装说明
VFBGA,
针数
90
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
访问模式
FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间
5 ns
其他特性
AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码
R-PBGA-B90
JESD-609代码
e1
长度
13 mm
内存密度
2147483648 bit
内存集成电路类型
DDR DRAM
内存宽度
32
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
90
字数
67108864 words
字数代码
64000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
105 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
64MX32
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
VFBGA
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)
260
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
1 mm
自我刷新
YES
最大供电电压 (Vsup)
1.95 V
最小供电电压 (Vsup)
1.7 V
标称供电电压 (Vsup)
1.8 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子面层
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式
BALL
端子节距
0.8 mm
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
30
宽度
10 mm
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器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
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