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MT46V32M8FG-75ZIT:G

16M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66
16M × 16 双倍速率同步动态随机存储器 动态随机存取存储器, 0.7 ns, PDSO66

器件类别:存储   

厂商名称:Micron(美光)

厂商官网:http://www.micron.com/

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器件参数
参数名称
属性值
功能数量
1
端子数量
66
最大工作温度
70 Cel
最小工作温度
0.0 Cel
最大供电/工作电压
2.7 V
最小供电/工作电压
2.5 V
额定供电电压
2.6 V
最小存取时间
0.7000 ns
加工封装描述
0.40 INCH, 铅 FREE,塑料, TSOP-66
无铅
Yes
欧盟RoHS规范
Yes
状态
DISCONTINUED
工艺
CMOS
包装形状
矩形的
包装尺寸
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
表面贴装
Yes
端子形式
GULL WING
端子间距
0.6500 mm
端子涂层
MATTE 锡
端子位置
包装材料
塑料/环氧树脂
温度等级
COMMERCIAL
内存宽度
16
组织
16M × 16
存储密度
2.68E8 deg
操作模式
同步
位数
1.68E7 words
位数
16M
存取方式
四 BANK PAGE BURST
内存IC类型
双倍速率同步动态随机存储器 动态随机存取存储器
端口数
1
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