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MT47H64M8BN-3ELIT:D

DDR DRAM, 64MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA84, 10 X 12.5 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-84

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Micron Technology

厂商官网:http://www.mdtic.com.tw/

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Micron Technology
零件包装代码
BGA
包装说明
TFBGA,
针数
84
Reach Compliance Code
compli
ECCN代码
EAR99
访问模式
FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间
0.45 ns
其他特性
AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码
R-PBGA-B84
JESD-609代码
e1
长度
12.5 mm
内存密度
536870912 bi
内存集成电路类型
DDR DRAM
内存宽度
8
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
84
字数
67108864 words
字数代码
64000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
64MX8
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TFBGA
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)
260
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
1.2 mm
自我刷新
YES
最大供电电压 (Vsup)
1.9 V
最小供电电压 (Vsup)
1.7 V
标称供电电压 (Vsup)
1.8 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子面层
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式
BALL
端子节距
0.8 mm
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
30
宽度
10 mm
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