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MT58V512V36FF-6.8

Cache SRAM, 512KX36, 6.8ns, CMOS, PBGA165, MO-216CAB-1, FBGA-165

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Cypress(赛普拉斯)

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
零件包装代码
BGA
包装说明
TBGA,
针数
165
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
3A991.B.2.A
最长访问时间
6.8 ns
其他特性
FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
JESD-30 代码
R-PBGA-B165
JESD-609代码
e0
长度
15 mm
内存密度
18874368 bit
内存集成电路类型
CACHE SRAM
内存宽度
36
湿度敏感等级
3
功能数量
1
端子数量
165
字数
524288 words
字数代码
512000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
512KX36
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TBGA
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
220
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)
2.625 V
最小供电电压 (Vsup)
2.375 V
标称供电电压 (Vsup)
2.5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
TIN LEAD
端子形式
BALL
端子节距
1 mm
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
13 mm
Base Number Matches
1
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