MUR130 ... MUR160
MUR130 ... MUR160
Superfast Effcient Si-Rectifier Diodes
Superschnelle Hocheffizienz-Si-Gleichrichterdioden
Version 2011-10-24
Nominal current
Nennstrom
Ø 2.6
-0.1
1A
300...600 V
DO-41
DO-204AL
0.4 g
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
62.5
-2.5
+0.5
Type
5.1
-0.1
Ø 0.77
±0.07
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings and characteristics
Type
Typ
MUR130
MUR140
MUR160
Repetitive/Surge peak reverse voltage
Periodische-/ Stoßspitzensperrspannung
V
RRM
/ V
RSM
[V]
300
400
600
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
t
rr
[ns]
1
)
< 50
< 50
< 50
T
A
= 75°C
f > 15 Hz
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
Grenz- und Kennwerte
Forward voltage
Durchlass-Spannung
V
F
[V]
2
)
< 1.25
< 1.25
< 1.25
I
FAV
I
FRM
I
FSM
i
2
t
T
j
T
S
T
j
= 25°C
V
R
= V
RRM
T
j
= 125°C V
R
= V
RRM
I
R
I
R
R
thA
R
thL
1 A
1
)
6 A
1
)
32/35 A
5 A
2
s
-50...+175°C
-50...+175°C
< 5 µA
< 100 µA
< 45 K/W
1
)
< 15 K/W
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Leakage current
Sperrstrom
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to leads
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
1
2
1
T
j
= 25°C, I
F
= 0.5 A through/über I
R
= 1 A to/auf I
R
= 0.25 A
T
j
= 25°C, I
F
= 1A
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
MUR130 ... MUR160
120
[%]
100
1
80
T
j
= 25°C
10
[A]
T
j
= 125°C
60
0.1
40
10
-2
20
I
FAV
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
1
I
F
10
-3
V
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
[V]
Rated forward current versus ambient temperature )
1
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
10
2
50
[pF]
40
T
j
= 125°C
[µA]
10
1
30
1
T
j
= 100°C
20
10
-1
T
j
= 25°C
10
C
j
I
R
10
-2
0
V
RRM
40
60
80
100 [%]
0
V
R
[V]
Junction capacitance vs. reverse voltage (typical)
Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Sperrspg. (typ.)
Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage
Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung
10
2
[A]
10
î
F
1
1
10
10
2
[n]
10
3
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz
Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
2
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© Diotec Semiconductor AG
