首页 > 器件类别 > 分立半导体 > 二极管

MUR480E

Rectifier, Ultra Fast Recovery; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 4; Max TMS Bridge Input Voltage: 800; Max DC Reverse Voltage: 25; Package: DO-201A

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:Digitron

厂商官网:http://www.digitroncorp.com

下载文档
MUR480E 在线购买

供应商:

器件:MUR480E

价格:-

最低购买:-

库存:点击查看

点击购买

器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
包装说明
O-XALF-W2
Reach Compliance Code
unknown
应用
ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接
ISOLATED
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)
1.85 V
JEDEC-95代码
DO-201
JESD-30 代码
O-XALF-W2
JESD-609代码
e0
最大非重复峰值正向电流
70 A
元件数量
1
相数
1
端子数量
2
最高工作温度
175 °C
最低工作温度
-65 °C
最大输出电流
4 A
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装形状
ROUND
封装形式
LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压
800 V
最大反向电流
25 µA
最大反向恢复时间
0.1 µs
表面贴装
NO
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
WIRE
端子位置
AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
Base Number Matches
1
文档预览
MUR470E-MUR4100E
High-reliability discrete products
and engineering services since 1977
4 AMP ULTRA FAST RECTIFIER
FEATURES
Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suffix to base part number.
Available as non-RoHS
(Sn/Pb plating), standard, and as RoHS by adding “-PBF” suffix.
MAXIMUM RATINGS
Rating
Peak repetitive reverse voltage
Working peak reverse voltage
DC blocking voltage
Average rectified forward current
(square wave)
Mounting method 3, per note 2
Non-repetitive peak surge current
(surge applied at rated load conditions halfwave, single phase,
60Hz)
Operating and storage junction temperature range
Maximum thermal resistance
Junction to ambient
ELECTRICAL CHARACTERSITICS
(T
A
= 25°C unless otherwise specified)
Parameter
Maximum instantaneous forward voltage
(1)
(I
F
= 3.0A, T
J
= 150°C)
(I
F
= 3.0A, T
J
= 25°C)
(I
F
= 4.0A, T
J
= 25°C)
Maximum instantaneous reverse current
(1)
(Rated dc voltage, T
J
= 100°C)
(Rated dc voltage, T
J
= 25°C)
Maximum reverse recovery time
(I
F
= 1.0A, di/dt = 50A/µs)
(I
F
= 0.5A, I
R
= 1.0A, I
REC
= 0.25A)
Maximum forward recovery time
(I
F
= 1.0A, di/dt = 100A/µs, recovery to 1.0V)
Controlled avalanche energy
Symbol
MUR470E
MUR480E
MUR490E
MUR4100E
Unit
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F(AV)
MUR470E
MUR480E
MUR490E
MUR4100E
Unit
700
800
900
1000
V
4.0 @ T
A
= 35°C
A
I
FSM
T
J,
T
stg
R
ӨJA
70
-65 to +175
Note 1
A
°C
°C/W
V
F
1.53
1.75
1.85
900
25
100
75
75
20
V
I
R
µA
t
rr
ns
t
fr
W
AVAL
ns
mJ
Rev. 20150306
MUR470E-MUR4100E
High-reliability discrete products
and engineering services since 1977
MECHANICAL CHARACTERISTICS
Case
Marking
Polarity
DO-201A
Body painted, alpha-numeric
Cathode band
4 AMP ULTRA FAST RECTIFIER
Rev. 20150306
MUR470E-MUR4100E
High-reliability discrete products
and engineering services since 1977
4 AMP ULTRA FAST RECTIFIER
Rev. 20150306
MUR470E-MUR4100E
High-reliability discrete products
and engineering services since 1977
4 AMP ULTRA FAST RECTIFIER
Rev. 20150306
MUR470E-MUR4100E
High-reliability discrete products
and engineering services since 1977
4 AMP ULTRA FAST RECTIFIER
Rev. 20150306
查看更多>
参数对比
与MUR480E相近的元器件有:MUR4100E、MUR490E。描述及对比如下:
型号 MUR480E MUR4100E MUR490E
描述 Rectifier, Ultra Fast Recovery; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 4; Max TMS Bridge Input Voltage: 800; Max DC Reverse Voltage: 25; Package: DO-201A Rectifier, Ultra Fast Recovery; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 4; Max TMS Bridge Input Voltage: 1000; Max DC Reverse Voltage: 25; Package: DO-201A Rectifier, Ultra Fast Recovery; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 4; Max TMS Bridge Input Voltage: 900; Max DC Reverse Voltage: 25; Package: DO-201A
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
包装说明 O-XALF-W2 O-XALF-W2 O-XALF-W2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
应用 ULTRA FAST RECOVERY ULTRA FAST RECOVERY ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.85 V 1.85 V 1.85 V
JEDEC-95代码 DO-201 DO-201 DO-201
JESD-30 代码 O-XALF-W2 O-XALF-W2 O-XALF-W2
JESD-609代码 e0 e0 e0
最大非重复峰值正向电流 70 A 70 A 70 A
元件数量 1 1 1
相数 1 1 1
端子数量 2 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C
最大输出电流 4 A 4 A 4 A
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压 800 V 1000 V 900 V
最大反向电流 25 µA 25 µA 25 µA
最大反向恢复时间 0.1 µs 0.1 µs 0.1 µs
表面贴装 NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 1 1
关于ZMacScanReq( ZMacScanReq_t *pData )的定义
问一个比较小白的问题,在这个函数里面, ZMacScanReq( ZMacScanReq_t...
caimengyi RF/无线
多串口RS485通讯程序的探讨
本人最近在做多串口的通讯工控软件,我的程序是通过研华的串口拓展卡, 每个串口连接5---10台仪器,...
liuqinkkk 嵌入式系统
为何如下代码下载后板子无反应
这是个别人给的官方程序,应该是实现按键led灯翻转的,但是下载到板子上后按键无反应 #includ...
xiszishu 微控制器 MCU
[本周话题]预测今年控制类会出什么样的题目呢?有福利!
控制类赛题从来都是电赛必有的一类。这几年控制类赛题不断变化。今年会出现什么新的技术?AI...
高进 电子竞赛
如何实现孔径调谐
天线效率在智能手机的整体 RF 性能中发挥着至关重要的作用。然而,当前的智能手机工业设计趋势和 ...
alan000345 RF/无线
大电流电源过孔, 你习惯用多大的过孔?
大电流电源过孔, 你习惯用多大的过孔? 会不会A好一点? 坐等答案 我选择A,截面积应该更大一些...
PowerAnts PCB设计
热门器件
热门资源推荐
器件捷径:
L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ
需要登录后才可以下载。
登录取消